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發(fā)布時(shí)間:2021-03-21 15:15  
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電池片的檢驗(yàn)
振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置:天價(jià)回收硅片,電池片,初中級(jí)多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽(yáng)電池,太陽(yáng)能組件,太陽(yáng)能光伏板,顧客撤離,退級(jí),庫(kù)存量,El,欠佳檢測(cè),2手,舊,工程項(xiàng)目,拆裝,道路路燈,拆卸發(fā)電廠,拆裝,人造板,層壓板,無(wú)界限結(jié)晶硅,多晶硅,單晶硅,試驗(yàn)板,負(fù)債還款,返修,太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。
報(bào)廢片:
超過(guò)缺點(diǎn)片的規(guī)定常出現(xiàn)的印刷圖型出現(xiàn)異常的緣故表明
1、電級(jí)掉下來(lái)(疊片):硅片與料漿沒(méi)產(chǎn)生充足的鋁合金層換句話說(shuō)沒(méi)有產(chǎn)生好的觸碰。
2、斷開(kāi):有物品粘在鋼網(wǎng)上,導(dǎo)致堵網(wǎng)。解決方案:擦洗鋼網(wǎng),擦洗堵網(wǎng)地區(qū)。
3、跑模:鋼網(wǎng)有系統(tǒng)漏洞解決方案:較小且沒(méi)有細(xì)柵線上線下用封網(wǎng)漿將小圓孔封死就能。很大時(shí)務(wù)必要拆換鋼網(wǎng)。另留意跑模干萬(wàn)不可以漏在反面電級(jí),那樣會(huì)使RSH(并聯(lián)電阻)過(guò)低。
4、粗點(diǎn):鋼網(wǎng)損傷,刮條不整平解決方案:換鋼網(wǎng),換刮條。
5、虛印:有時(shí)候會(huì)因?yàn)樵暇壒试斐扇纾簱?jù)痕、薄厚不勻。其次跟刮條和鋼網(wǎng)也是關(guān)聯(lián)。解決方案:換鋼網(wǎng)或換刮條。
一14、漏漿
A級(jí): 漏漿單獨(dú)總面積低于0.5*0.5mm,總數(shù)低于3個(gè)
B級(jí):跑模單獨(dú)總面積低于1。0*1.0mm總數(shù)不分
C級(jí):跑模單獨(dú)總面積低于1。0*2。0mm總數(shù)不分
缺點(diǎn)/報(bào)廢片:
超過(guò)C級(jí)片的規(guī)定為缺點(diǎn)片,超過(guò)缺點(diǎn)片規(guī)定的為報(bào)費(fèi)片。
注:(1)在一切正常包裝印刷圖型處時(shí),依照“包裝印刷圖型”要求分辨,沒(méi)有包裝印刷圖型處時(shí)依照以上要求辨別。
(2)跑模在背靜電場(chǎng)或背電級(jí)時(shí),依據(jù)鋁苞要求分辨
(3)跑模在側(cè)邊時(shí),假如影象電池片電氣性能和外型時(shí),則返修后再次歸類檢驗(yàn),隨后再次判斷,假如不危害電池片電氣性能和外型的時(shí)候一切正常排出
(4)硅晶掉下來(lái)按跑??偯娣e判斷新的規(guī)范:與舊的規(guī)范同樣側(cè)邊漏漿片做打磨拋光片解決打磨拋光片處理過(guò)程非鋁苞片:一概出口(不 Rsh≥6)零頭和滿包全入出口貨位備注名稱:DM選用黃標(biāo)識(shí)鋁苞片:暫未作自購(gòu)片待產(chǎn)品研發(fā)作部件實(shí)驗(yàn)( Rsh≥6)零頭入鋁苞零頭貨位滿包入鋁苞滿包貨位備注名稱:DM LB選用白標(biāo)識(shí)
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu):高價(jià)回收硅片,電池片,初級(jí)多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽(yáng)能電池,光伏組件,太陽(yáng)能電池板,客戶撤退,降級(jí),庫(kù)存,El,不良測(cè)試,二手,舊,工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無(wú)邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實(shí)驗(yàn)板,債務(wù)償還,返工,光伏模塊回收等
1、 色差片是怎樣產(chǎn)生的?
這與化學(xué)氣相沉淀時(shí)間有關(guān),時(shí)間長(zhǎng)會(huì)發(fā)白,時(shí)間短會(huì)發(fā)黃
2、 光面片是怎樣產(chǎn)生的?
首先是因?yàn)槠颖旧砭褪枪饷嫫?,其次就是在腐蝕中加入 NaOH 量過(guò)多
3、 光外形片是怎樣產(chǎn)生的?
單測(cè)單包(前道絲印也要單獨(dú)挑出,選擇合適的網(wǎng)板印制)
4、 絨面色斑是怎么來(lái)的?
一方面是硅片的表面存在一定的臟污在制絨時(shí)沒(méi)有清洗干凈,另一方面是我們的工藝衛(wèi)生到位,手指印、吸盤(pán)印、化學(xué)品沒(méi)有處理干凈
5、 對(duì)未燒透的片子怎么處理?
硅片與硅片之間存在一定的厚度,如果在做薄片中間夾著厚片就會(huì)燒不透,燒結(jié)的溫度低了
電池片各工序影響因素及異常情況
電池片各工藝流程危害要素及異?,F(xiàn)象
4.NaOH產(chǎn)生金字塔式絨面。NaOH濃度值越高,金字塔式容積越小,反映前期,金字塔式成核相對(duì)密度類似沒(méi)受NaOH濃度值危害,堿水溶液的腐蝕隨NaOH濃度值轉(zhuǎn)變比較顯著,濃度值高的NaOH水溶液與硅體現(xiàn)的速率加速,再反映過(guò)段時(shí)間后,金字塔式容積更大。NaOH濃度值超出必須界線時(shí),各向異性系數(shù)縮小,絨面會(huì)愈來(lái)愈差,類似打磨拋光??煽匦运剑号cIPA相近,線性度不高。
5.Na2SiO3SI和NaOH反映生產(chǎn)制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有緩沖劑的功效,使反映不會(huì)很強(qiáng)烈,變的輕緩。Na2SiO3使反映擁有大量的起始點(diǎn),生長(zhǎng)發(fā)育出的金字塔式更勻稱,更小一點(diǎn)兒Na2SiO3多的那時(shí)候要立即的排出去,Na2SiO3傳熱性差,會(huì)危害反映,水溶液的黏稠度也提升,非常容易產(chǎn)生水流、花藍(lán)印和表層黑斑。可控性水平:沒(méi)辦法操縱。4酸洗鈍化HCL除去硅片表層的金屬材料殘?jiān)蛩峋邆渌岷徒j(luò)合劑的雙向功效,硫酸鹽能與多種多樣金屬材料正離子產(chǎn)生可溶解與水的絡(luò)合物。6酸洗鈍化HF除去硅片表層空氣氧化層,SiO26HF=H2[siF6]2H2O。
基準(zhǔn)點(diǎn)1.減薄量界定:硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。操縱范疇多晶硅125,硅片薄厚在200±25μm左右,減薄量在0.5±0.2g;硅片薄厚在200±25μm左右,減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156,首籃減薄量在0.7±0.2g;之后減薄量在0.6±0.2g。2.絨面分辨規(guī)范:成核相對(duì)密度高,尺寸適度,勻稱。
操縱范疇:多晶硅:金字塔式規(guī)格3~10um。3.外型無(wú)豁口,黑斑,裂痕,激光切割線,刮痕,凹痕,有沒(méi)有白斑病,贓污。