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低速電光相位調(diào)制器價(jià)格服務(wù)為先【康冠世紀(jì)】

發(fā)布時(shí)間:2020-12-10 11:37  

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什么是電光調(diào)制器

電光調(diào)制器是利用某些電光晶體,如鈮酸鋰晶體(LiNb03)、稼晶體(GaAs)和鉭酸鋰晶體(LiTa03)的電光效應(yīng)制成的調(diào)制器。電光效應(yīng)即當(dāng)把電壓加到電光晶體上時(shí),電光晶體的折射率將發(fā)生變化,結(jié)果引起通過(guò)該晶體的光波特性的變化,實(shí)現(xiàn)對(duì)光信號(hào)的相位、幅度、強(qiáng)度以及偏振狀態(tài)的調(diào)制。電光調(diào)制器的基礎(chǔ)是電光效應(yīng)。根據(jù)電光晶體的折射率變化量和外加電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系,電光效應(yīng)可分為線性電光效應(yīng)(泡克耳斯效應(yīng))和二次電光效應(yīng)(克爾效應(yīng))。因?yàn)榫€性電光效應(yīng)比二次電光效應(yīng)的作用效果明顯,因此實(shí)際中多用線性電光調(diào)制器對(duì)光波進(jìn)行調(diào)制。電光效應(yīng)即當(dāng)把電壓加到電光晶體上時(shí),電光晶體的折射率將發(fā)生變化,結(jié)果引起通過(guò)該晶體的光波特性的變化,實(shí)現(xiàn)對(duì)光信號(hào)的相位、幅度、強(qiáng)度以及偏振狀態(tài)的調(diào)制。線性電光調(diào)制器可分為縱向的和橫向的。在縱向的調(diào)制器中,電場(chǎng)平行于光的傳播方向,而橫向調(diào)制器的電場(chǎng)則垂直于光傳播的方向

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電光調(diào)制器選擇需要注意什么?

1、串聯(lián)方式的選擇對(duì)功率損耗量影響較大,通常采用n級(jí)晶體串聯(lián)的方式來(lái)降低,此外,為了使n級(jí)晶體電光效應(yīng)逐步提高,應(yīng)將晶體的x軸與y軸方向旋轉(zhuǎn)90°進(jìn)行安置,同時(shí),不應(yīng)串聯(lián)過(guò)多快晶體,避免電容過(guò)大。

2、電光調(diào)制器輸出特性與外加電壓的關(guān)系式非線性的,加入電光調(diào)制器工作于非線性部分,那么調(diào)制光將發(fā)生畸變,只有確保高次諧波幅值在允許范圍內(nèi),才能避免畸變。通過(guò)公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)多年的自主創(chuàng)新,如今在電光調(diào)制、光電探測(cè)器、射頻光傳輸領(lǐng)域已處于業(yè)內(nèi)較好水平。實(shí)際設(shè)計(jì)中,秩序帶入電光調(diào)制器半波電壓以及調(diào)制率的范圍,就可驗(yàn)證調(diào)制電壓峰-峰值是否符合設(shè)計(jì)要求。

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電光調(diào)制器的物理基礎(chǔ)

光波在介質(zhì)中的傳播規(guī)律受到介質(zhì)折射率分布的制約,而折射率的分布又與其介電常量(電容率)密切相關(guān)。晶體折射率可用施加電場(chǎng)E的冪級(jí)數(shù)表示,即或?qū)懗墒街校?γE 是一次項(xiàng),由該項(xiàng)引起的折射率變化,稱(chēng)為線性電光效應(yīng)或泡克耳斯(Pockels)效應(yīng);由二次項(xiàng) bE2 引起的折射率變化,稱(chēng)為二次電光效應(yīng)或克爾(Kerr )效應(yīng)。5Gb/s的鈮酸鋰調(diào)制器的半波電壓(Vp)較高,故都需要用驅(qū)動(dòng)器來(lái)推動(dòng)調(diào)制器。對(duì)于大多數(shù)電光晶體材料,一次效應(yīng)要比二次效應(yīng)顯著,可略去二次項(xiàng)。

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