在 GJB 360B—2009《電子及電氣元件試驗方法》中涉及高溫試驗的有“高溫壽命試驗”，其試驗?zāi)康氖怯糜诖_定試驗樣品在高溫條件下工作一段時間后，高溫對試驗樣品的電氣和機械性能的影響，從而對試驗樣品的質(zhì)量做出評定。在 GJB 128A—1997《半導(dǎo)體分立器件試驗方法》中涉及高溫試驗的有“高溫壽命（非工作）”和“高溫壽命（非工作）（抽樣方案）”兩種試驗，前者的試驗的目的是用于確定器件在承受規(guī)定的高溫條件下是否符合規(guī)定的失效率，后者的試驗?zāi)康氖怯糜诖_定器件在承受規(guī)定的條件下是否符合規(guī)定的抽樣方案。按照規(guī)定要求進行恢復(fù)，后對樣品進行外觀及電氣和機械性能的檢測。電子元器件在高溫環(huán)境中，其冷卻條件惡化，散熱困難，將使器件的電參數(shù)發(fā)生明顯變化或絕緣性能下降。例如，在高溫條件下，存在于半導(dǎo)體器件芯片表面及管殼內(nèi)的雜質(zhì)加速反應(yīng)，促使沾污嚴重的產(chǎn)品加速退化。此外，高溫條件對芯片的體內(nèi)缺陷、硅氧化層和鋁膜中的缺陷以及不良的裝片、鍵合工藝等也有一定的檢驗效果。GJB 150《設(shè)備環(huán)境試驗條件》是設(shè)備環(huán)境試驗標準，它規(guī)定了統(tǒng)一的環(huán)境試驗條件或等級，用以評價設(shè)備適應(yīng)自然環(huán)境和誘發(fā)環(huán)境的能力，適用于設(shè)備研制、生產(chǎn)和交付各階段，是制定有關(guān)設(shè)備標準和技術(shù)文件的基礎(chǔ)和選用依據(jù)。

對于空氣介質(zhì)法，試驗設(shè)備的要求如下：

   ① 高溫箱、低溫箱應(yīng)能滿足規(guī)定的極限溫度條件；

   ② 高溫箱、低溫箱應(yīng)符合本試驗規(guī)定的容差；

   ③ 試驗箱應(yīng)有足夠的熱容量，以便試驗樣品放入試驗箱后，在 5min 內(nèi)工作空間就能恢復(fù)到規(guī)定的溫度值；

   ④ 試驗樣品的安裝和支撐架的熱導(dǎo)率應(yīng)低，以保證試驗樣品與安裝和支撐架間處于一種絕熱狀態(tài)。

高低溫（濕熱）試驗箱產(chǎn)品的可靠性和環(huán)境適應(yīng)性均屬于產(chǎn)品的質(zhì)量特性。，環(huán)境條件與可靠性設(shè)計和試驗有關(guān)，環(huán)境工程在產(chǎn)品全壽命期內(nèi)開展，可以提高產(chǎn)品的設(shè)計質(zhì)量和檢驗生產(chǎn)質(zhì)量的穩(wěn)定性，特別是對成敗型產(chǎn)品的研制、設(shè)計及生產(chǎn)過程中，環(huán)境工程的試驗結(jié)果可以被可靠性工程所接受和運用。但在產(chǎn)品設(shè)計研制過程中環(huán)境工程主要分析產(chǎn)品在其壽命周期中可能遇到的極限環(huán)境，利用設(shè)計手段提高產(chǎn)品承受極限環(huán)境的能力。而可靠性工程主要分析產(chǎn)品在其壽命周期中可能遇到的典型環(huán)境，利用設(shè)計手段來提高產(chǎn)品的可靠性水平。不少單位進行例行高溫試驗時使用干燥箱做電子元器件等電子產(chǎn)品的高溫試驗，這是不合適的，試驗后得到的數(shù)據(jù)不可靠，甚至燒壞樣品，導(dǎo)致錯誤的結(jié)論。