.●反饋光耦供電用12V供電，且取樣點(diǎn)在后級濾波電感前面更好。因?yàn)闉V波電感前的波動(dòng)更快的反映前端PWM的調(diào)制狀態(tài)，就算TL431的開啟程度是一定的，因?yàn)?2V的波動(dòng)可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異，在反饋環(huán)路一定的情況下，這個(gè)光耦供電取樣點(diǎn)的選擇更有利于動(dòng)態(tài)響應(yīng)和調(diào)整率的平衡控制。。●12V繞組應(yīng)該放在更接近于初級繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小，因?yàn)槲覀兎答伈蓸拥氖?V端，所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個(gè)繞組的平衡度。雖然不能做到的好，但是相對的來說是有一定參考價(jià)值的。

進(jìn)行全局布線的時(shí)候，還須遵循以下原則 參考圖：布線方向：從焊接面看，元件的排列方位盡可能保持與原理圖相一致，布線方向與電路圖走線方向相一致，因生產(chǎn)過程中通常需要在焊接面進(jìn)行各種參數(shù)的檢測，故這樣做便于生產(chǎn)中的檢查，調(diào)試及檢修（注：指在滿足電路性能及整機(jī)安裝與面板布局要求的前提下）。(2).設(shè)計(jì)布線圖時(shí)走線盡量少拐彎，印刷弧上的線寬不要突變，導(dǎo)線拐角應(yīng)≥90度,力求線條簡單明了。(3).印刷電路中不允許有交叉電路，對于可能交叉的線條，可以用“鉆”、“繞”兩種辦法解決。


有的時(shí)候只差2、3dB的時(shí)候換一個(gè)不同品牌會(huì)有驚喜。 EMI整改技巧之二 40.VCC上的整流二極管，這個(gè)對輻射影響也是很大的。 一個(gè)慘痛案例，一款過了EMI的產(chǎn)品，余量都有4dB以上，量產(chǎn)很多次了，其中有一次量產(chǎn)抽檢EMI發(fā)現(xiàn)輻射超1dB左右，不良率有50%，經(jīng)過層層排查、一個(gè)個(gè)元件對換。終發(fā)現(xiàn)是VCC上的整流二極管引發(fā)的問題，更換之前的管子（留低樣品），余量有4dB。對不良管子分析，發(fā)現(xiàn)管子內(nèi)部供應(yīng)商做了鏡像處理。


41.一個(gè)冷知識，如何測量PCB的銅箔厚度？ 方法：在PCB板上找一條光滑且長的線條，測量其長度L，再測寬度W，再用DC源加1A電流在其兩端測得壓降U 依據(jù)電阻率公式得出以下公式： 例：取一段PCB銅箔，長度L為40mm，寬度為10mm，其通過1A電流兩端壓降為0.005V，求該段銅箔厚度為多少um？ 42.一款36W適配器的EMI整改案例，輸出12V/3A，多圖對比，整改花費(fèi)時(shí)間3周。 變壓器繞法一：Np1→VCC→Ns1→Ns2→銅屏蔽0.9Ts→NpPCB關(guān)鍵布局：Y電容地→大電容地，變壓器地→Vcc電容→大電容地注：變壓器所有出線沒有交叉圖一（115Vac） 圖一所示可以看到，130-200M處情況并不樂觀；130-200M主要原因在于PCB布局問題和二次側(cè)的肖特基回路，改其它地方作用不大，肖特基套磁珠可以完全壓下來，圖忘記保存了。