線列式磁控生產線

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采用先進的in-line產線結構，Twin-Mag孿生陰極磁控濺射技術，并配以全自動控制系統(tǒng)、先進的真空系統(tǒng)，可在玻璃襯底上鍍制SiO2、ITO、AZO、Al、Ni、Ti等各類絕緣介質薄膜、金屬或合金薄膜，并可連續(xù)濺鍍多種不同材質的薄膜構成復合多膜層結構，適合大規(guī)模光學、電學薄膜的生產，做到一機多用具有高能效、高可靠性、低成本的優(yōu)勢。通過調整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。

     本產品可廣泛應用于觸摸屏ITO鍍膜、LCD顯示屏ITO鍍膜、薄膜太陽能電池背電極及AZO鍍膜、彩色濾光片鍍膜、電磁屏蔽玻璃鍍膜、AR鍍膜、裝飾鍍膜等產業(yè)領域。

雙室磁控濺射系統(tǒng)

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設備簡介

主要特點是設備體積小，結構簡單緊湊易于操作，對實驗室供電要求低；該系列設備主要部件采用進口或者國內最優(yōu)的配置，從而提高設備的穩(wěn)定性；另外自主開發(fā)的智能操作系統(tǒng)在設備的運行重復性及安全性方面得到更好地保障。 目前該系列有基本型、旗艦型、豪華型、尊享型4種不同配置可供選擇，可以根據(jù)客戶的不同需求進行配置，比較靈活；臥式磁控濺射鍍膜機以下是沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您一起分享的內容，沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業(yè)生產磁控濺射產品，歡迎新老客戶蒞臨。標配4只Φ2英寸永磁靶，4臺500W直流濺射電源，主要用來開發(fā)納米級單層及多層的金屬導電膜、半導體膜以及絕緣膜等。

磁控濺射的工作原理

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磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與原子發(fā)生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；高性價比：設備主要零部件采用進口或國內品牌，以國產設備的價格擁有進口設備的配置，從而保證了設備的質量及性能。新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于磁控濺射一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場E的作用下沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。

磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯(lián)過程。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。

磁控濺射介紹

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用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。這是因為靶（陰極），等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體（如陶瓷），則回路斷了。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容，這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時接地技術很復雜，因而難大規(guī)模采用。為解決此問題，發(fā)明了磁控反應濺射。就是用金屬靶，加入氣和反應氣體如氮氣或氧氣。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉化，與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。4Pa的氣場情況是濺射速率較高的情況，氣場變化，壓強變大和變小都會影響濺射速率。