傳統(tǒng)金屬封裝材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的熱膨脹系數(shù)(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之間。為了減少陶瓷基板上的應(yīng)力，設(shè)計者可以用幾個較小的基板來代替單一的大基板，分開布線。金屬封裝材料為實現(xiàn)對芯片支撐、電連接、熱耗散、機(jī)械和環(huán)境的保護(hù)，應(yīng)具備以下的要求：①與芯片或陶瓷基板匹配的低熱膨脹系數(shù),減少或避免熱應(yīng)力的產(chǎn)生；但密度大也使Cu／W具有對空間輻射總劑量(TID)環(huán)境的優(yōu)良屏蔽作用，因為要獲得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金屬封裝材料及其應(yīng)用除了Cu／W及Cu／Mo以外，傳統(tǒng)金屬封裝材料都是單一金屬或合金，它們都有某些不足，難以應(yīng)對現(xiàn)代封裝的發(fā)展。金屬封裝外殼CNC與壓鑄結(jié)合就是先壓鑄再利用CNC精加工。工藝優(yōu)缺點：CNC工藝的成本比較高，材料浪費也比較多，當(dāng)然這種工藝下的中框或外殼質(zhì)量也好一些。

金屬表面處理這些材料具有高的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能，同時融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。因此用碳纖維(高純石墨化學(xué)纖維)提高的銅基高分子材料在高功率主要用途很有力。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根據(jù)組元相對含量的變化進(jìn)行調(diào)整，可以用作封裝底座、熱沉，還可以用作散熱片。 金屬基復(fù)合材料金屬封裝是采用金屬作為殼體或底座，芯片直接或通過基板安裝在外殼或底座上，引線穿過金屬殼體或底座大多采用玻璃—金屬封接技術(shù)的一種電子封裝形式。它廣泛用于混合電路的封裝，主要是和定制的專用氣密封裝，在許多領(lǐng)域，尤其是在軍事及航空航天領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 銅、鋁純銅也稱之為無氧高導(dǎo)銅(OFHC)，電阻率1．72μΩ·cm，僅次于銀。它的熱導(dǎo)率為401W(m-1K-1)，從傳熱的角度看，作為封裝殼體是非常理想的，可以使用在需要高熱導(dǎo)和／或高電導(dǎo)的封裝里，然而，它的CTE高達(dá)16．5×10-6K-1，可以在剛性粘接的陶瓷基板上造成很大的熱應(yīng)力。

金屬表面處理種類有哪些

例如：模具。這與纖維自身的各種各樣相關(guān)，纖維趨向及其纖維體積分?jǐn)?shù)都是危害高分子材料的特性。鍍裝飾鉻主要是為了讓表面更加光亮、外形美觀。鍍鎳：借氧化還原作用在金屬表面沉積，用于提高抗腐蝕性和耐磨性，增加美觀和光澤。鍍鈦：防止污染，與人體接觸不會產(chǎn)生過敏反應(yīng)。因為鈦化合物顏色多種，可以增加美觀效果。同時鈦具有抗酸抗堿的功能。

鍍銀：主要有兩方面作用，一種是裝飾性，一種是功能性。

電解拋光處理：

技術(shù)是指電解拋光又稱電化學(xué)拋光，是指將工件放在通電的溶液中，以提高金屬工件表面的平整性，并使之產(chǎn)生光澤的加工過程。 金屬基復(fù)合材料金屬封裝是采用金屬作為殼體或底座，芯片直接或通過基板安裝在外殼或底座上，引線穿過金屬殼體或底座大多采用玻璃—金屬封接技術(shù)的一種電子封裝形式。幾乎所有金屬皆可電解拋光，如不銹鋼、碳鋼、鈦、鋁合金、銅合金、鎳合金等，但以不銹鋼之應(yīng)用廣。通過正負(fù)極的電流、電解拋光液的同共作用下來改善金屬表面的微觀幾何形狀，降低金屬表面粗糙度。從而達(dá)到工件表面光亮平整的目的。