電池片的檢驗(yàn)

電池片的檢驗(yàn)

一十三、印刷圖型 

主柵線： 

A級(jí)：主柵線容許有輕度斷開(kāi)、缺少、歪曲、突顯，斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，不容許有斷開(kāi)，缺少、歪曲及其突顯。 

B級(jí)：斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的10%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，容許有斷開(kāi)，缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯不超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

C級(jí)：斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況 

新的規(guī)范：主柵線：斷開(kāi)，缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲、突顯不超出一切正常部位的0.5mm， 

副柵線： 

A級(jí)：副柵線容許大小不勻稱，存有總寬超過(guò)0.13mm，低于18mm的副柵線，段柵線≤6條，斷開(kāi)間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級(jí)占地面積的5%.

新的規(guī)范：副柵線清楚，容許有兩根柵線存有斷開(kāi)，斷掉總數(shù)≤3條，斷掉間距≤0.5mm；不容許有一切虛印、粗點(diǎn)；不容許有掉色狀況。 

B級(jí)：容許大小不勻稱，存有總寬≤0.25mm的副柵線，段柵線≤10條，斷開(kāi)間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級(jí)占地面積的10%. 

電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

影響因素

1. 溫度

溫度 T 越高，擴(kuò)散系數(shù) D 越大，擴(kuò)散速度越快。

2. 時(shí)間

對(duì)于恒定源：時(shí)間 t 越長(zhǎng)結(jié)深越深，但表面濃度不變。

對(duì)于限定源：時(shí)間 t 越長(zhǎng)結(jié)深越深，表面濃度越小。

3. 濃度

決定濃度是因素：氮?dú)饬髁?、源溫?

表面濃度越大，擴(kuò)散速度越快。

4. 第三組元

主要是摻硼量對(duì)擴(kuò)散的影響，雜質(zhì)增強(qiáng)擴(kuò)散機(jī)制。在二元合金中加入第三元素時(shí)，擴(kuò)散系數(shù)也會(huì)發(fā)生變化。摻硼量越大，擴(kuò)散速率越快。即電阻率越小，越容易擴(kuò)散。

控制點(diǎn)

方塊電阻，外觀，單片均勻性，整管均勻性。

方塊電阻： 表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向所呈現(xiàn)的電阻。 R= 電阻率 *L/S, 對(duì)方塊硅片，長(zhǎng)度等于寬度，則 R= 電阻率 / 厚度，方塊電阻～ ( １／ Ns*Xj) Ns ：電化學(xué)濃度， Xj ：擴(kuò)散結(jié)深。

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太陽(yáng)電池片規(guī)范 

1、范疇 

本規(guī)范適用百力達(dá)結(jié)晶硅太陽(yáng)電池，包含單晶硅太陽(yáng)電池和多晶硅太陽(yáng)電池（下稱充電電池）。

2、規(guī)范化引證文檔以下文檔中的條文根據(jù)本規(guī)范的引證而變成本規(guī)范的條文。因此注時(shí)間的引證文檔，其接著全部的改動(dòng)單（不包含勘誤的內(nèi)容）或改版均不適感用以本規(guī)范，但激勵(lì)依據(jù)本規(guī)范達(dá)成共識(shí)的多方科學(xué)研究是不是可應(yīng)用這種文檔的新版。因此不注時(shí)間的引證文檔，其新版適用本規(guī)范。 

GB/T2297自然光伏能源系統(tǒng)專業(yè)術(shù)語(yǔ)GB/T6618硅片薄厚和總薄厚轉(zhuǎn)變測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)GB/T6495.1太陽(yáng)能發(fā)電元器件首位一部分：太陽(yáng)能發(fā)電電流量—工作電壓特點(diǎn)的測(cè)量（idtIEC904—1：1987） 

GB/T6495.3太陽(yáng)能發(fā)電元器件后一部分：路面用太陽(yáng)能發(fā)電元器件的測(cè)量基本原理及規(guī)范光譜儀副光照強(qiáng)度數(shù)（idtIEC904—3：1987） 

GB/T17473.3厚膜電子信息技術(shù)用貴重金屬料漿測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)方阻測(cè)量 

GB/T17473.7厚膜電子信息技術(shù)用貴重金屬料漿測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)可焊性、耐焊性測(cè)量 

GB2828.1一部分：技術(shù)性抽樣檢驗(yàn)程序流程按接受品質(zhì)限（AQL）查找的逐批檢測(cè)取樣方案 

GB2829周期時(shí)間檢測(cè)記數(shù)取樣程序流程及表（適用加工過(guò)程可靠性的查驗(yàn)）SJ/T10459太陽(yáng)電池溫度指數(shù)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)ASTMD3359standardtestmethodsformeasuringadhesionbytapetest（膠布實(shí)驗(yàn)測(cè)量黏合性的方式 ）

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電池片流程

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電池片流程

1、   車間段位構(gòu)成

WHQ ：硅片為太陽(yáng)能電池片的載體，硅片的質(zhì)量決定了電池片的轉(zhuǎn)換效率。而該工序則是對(duì)硅片的來(lái)料檢測(cè)，主要是包括厚度， TTV ，電阻率，外觀 （破片，缺角，孔洞，臟污）

需注意 :

1)   切割方向會(huì)厚薄不均，放片時(shí)需 180 度錯(cuò)落放置以保證放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細(xì) 柵方向，預(yù)防水波紋出現(xiàn)。

2)   線痕：   單線痕

密集線痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以會(huì)有粘度導(dǎo)致原硅片粘連，放置時(shí)需輕微搖晃。

制絨： 目的：去除表面損傷層，對(duì)表面進(jìn)行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉(zhuǎn)換率。

減重 ，活性不均勻會(huì)影響到后面 PEVCD 工序使硅片出現(xiàn)問(wèn)題制絨過(guò)程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時(shí)間為兩小時(shí)，兩小時(shí)內(nèi)要及時(shí)送入下一工序。