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微弧氧化電源原理圖可量尺定做

發(fā)布時(shí)間:2020-11-15 07:00  

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溫度對(duì)微弧氧化的影響

       微弧氧化與陽(yáng)極氧化不同,所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。溫度越高,成膜越快,但粗糙度也增加。且溫度高,會(huì)形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化過(guò)程中工件表面具有較高的氧化電壓并通過(guò)較大的電解電流,使產(chǎn)生的熱量大部分集中于膜層界面處,而影響所形成膜層的質(zhì)量,因此微弧氧化必須使用配套的熱交換制冷設(shè)備,使電解液及時(shí)冷卻,保證微弧氧化在設(shè)置的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。由于微弧氧化以熱能形式釋放,所以液體溫度上升較快,微弧氧化過(guò)程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。所以微弧氧化過(guò)程中一定要控制好溫度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化電源


微弧氧化抹的特點(diǎn)

       微弧氧化處理后的鋁基表面陶瓷膜層具有硬度高,耐蝕性強(qiáng),絕緣性好,膜層與基底金屬結(jié)合力強(qiáng),并具有很好的耐磨和耐熱沖擊等性能。微弧氧化的合適放電區(qū)間較窄,要求對(duì)放電后的電參數(shù)控制比較好,大電流、高電壓對(duì)供電電源提出了高要求,由于對(duì)微弧氧化本質(zhì)認(rèn)識(shí)限制,使得電源的設(shè)計(jì)及制造仍停留在經(jīng)驗(yàn)摸索層面上,帶有很大的盲目性。鋁合金微弧氧化又稱等離子體微弧氧化,等離子體陶瓷化或火花放電沉積技術(shù)。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源




微弧氧化技術(shù)的特點(diǎn)

       

1、微弧氧化采用弱堿性溶液,對(duì)周圍環(huán)境不造成污染,屬于清潔加工工藝和環(huán)保型表面處理技術(shù),微弧氧化中只放出氫氣、氧氣,對(duì)人體無(wú)害。

2、工藝簡(jiǎn)單,特別對(duì)于工業(yè)樣品的預(yù)處理不像陽(yáng)極氧化要求的那樣嚴(yán)格和繁雜,只要求樣品表面去污去油,不需要去除表面的自然氧化層,也不需要表面打磨。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化工藝、微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線



微弧氧化工藝研究

        微弧氧化的工藝研究主要集中在電流密度、電解液組成、電源模式、基材成分等工藝因素對(duì)氧化膜的厚度、結(jié)構(gòu)與性能的影響方面。 指出,電流密度對(duì)微弧氧化膜厚度有著決定性影響。2、隨著氧化時(shí)間的增加,工業(yè)鋁型材表面微孔密度降低,但粗糙度變大。在含有濃度6%水玻璃的電解液中,使用工業(yè)交流電源,對(duì)兒種不同鋁合金,依零件的不同幾何形狀和尺寸,電流密度在1--50A / cm2范圍內(nèi),經(jīng)60次微弧氧化實(shí)驗(yàn)的結(jié)果表明,形成的氧化膜厚度與電流密度成線性關(guān)系。