而在電路未啟動(dòng)之前，由于高壓端啟動(dòng)電阻的充電，可以將VCC上電容上的電壓充到IC啟動(dòng)的電壓，一旦電路有問(wèn)題一下啟動(dòng)不了VCC由于繞組電壓的預(yù)設(shè)值偏低。電路也是不會(huì)啟動(dòng)的，一般表現(xiàn)為嗝狀態(tài)?！駷楹我凑誌C的工作電壓低端取值？因?yàn)槲覀兇渭?jí)繞組是與初級(jí)繞組相鄰繞制的，耦合效果相對(duì)而言是的。我們做短路試驗(yàn)也是做次級(jí)的輸出短路，因?yàn)轳詈闲Ч?，次?jí)短路時(shí)VCC在經(jīng)過(guò)短暫的上沖后會(huì)快速降低，降到IC的關(guān)閉電壓時(shí)電路得到的保護(hù)。需要注意這個(gè)電壓需要高于MOSFET飽和導(dǎo)通1V以上，避免驅(qū)動(dòng)不足。

即讓某引線從別的電阻、電容、三極管腳下的空隙處“鉆”過(guò)去，或從可能交叉的某條引線的一端“繞”過(guò)去，在特殊情況下如何電路很復(fù)雜，為簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)也允許用導(dǎo)線跨接，解決交叉電路問(wèn)題。因采用單面板，直插元件位于top面，表貼器件位于bottom面，所以在布局的時(shí)候直插器件可與表貼器件交疊，但要避免焊盤重疊。3．輸入地與輸出地本開(kāi)關(guān)電源中為低壓的DC－DC，欲將輸出電壓反饋回變壓器的初級(jí)，兩邊的電路應(yīng)有共同的參考地，所以在對(duì)兩邊的地線分別鋪銅之后，還要連接在一起，形成共同的地五、檢查布線設(shè)計(jì)完成后，需認(rèn)真檢查布線設(shè)計(jì)是否符合設(shè)計(jì)者所制定的規(guī)則，


之前是犯了這個(gè)很低級(jí)的錯(cuò)誤，14.5V輸出用16V耐壓電容，量產(chǎn)有1%的電容失效不良。 20.電路設(shè)計(jì)，大電容或其它電容做成臥式時(shí)，底部如有跳線需放在負(fù)極電位，這樣跳線可以不用穿套管。 這個(gè)可以節(jié)省成本。 21.整流橋堆、二極管或肖特基，晶元大小元件承認(rèn)書(shū)或在BOM表要有描述，如67mil。理由：管控供應(yīng)商送貨一至性，避免供應(yīng)商偷工減料，影響產(chǎn)品效率 另人煩腦的就是供應(yīng)商做手腳，導(dǎo)致一整批試產(chǎn)的產(chǎn)品過(guò)不了六級(jí)能效，原因就是肖特基內(nèi)部晶元用小導(dǎo)致。 22.電路設(shè)計(jì)，Snubber 電容，因?yàn)橛挟愐魡?wèn)題，優(yōu)先使用Mylar電容 。