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了解了肖特基二極管的基本原理，那你知道肖特基勢壘二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的嗎？接下來就由ASEMI專業(yè)技術(shù)工程師為您解析這一問題。

典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導(dǎo)體為基片，在上面形成用shen作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區(qū)域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。

快恢復(fù)二極管與肖特基二極管又有什么不同呢？相比之下，ASEMI肖特基二極管又會有什么樣的優(yōu)勢呢？

首先，我們來看一下一般的快恢復(fù)二極管。UFRD的反向恢復(fù)時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬開關(guān)為100kHz的SMPS，由于UFRD的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢。

ASEMI肖特基二極管參數(shù)的研發(fā)拓展：

ASEMI研制的MBR60100PT  MBR60150PT  MBR60200PT，是專門為在輸出12V~24V的SMPS中替代高頻整流FRED而設(shè)計的。像額定電流為2×8A的大電流高頻率型SBD，起始電壓比業(yè)界居先進水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值為0.47V)，導(dǎo)通電阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值為40mΩ)，導(dǎo)通損耗低0.18W(典型值為1.14W)。