脈沖激光沉積

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在一階段，激光束聚焦在靶的表面。達(dá)到足夠的高能量通量與短脈沖寬度時(shí)，靶表面的一切元素會(huì)快速受熱，到達(dá)蒸發(fā)溫度。物質(zhì)會(huì)從靶中分離出來，而蒸發(fā)出來的物質(zhì)的成分與靶的化學(xué)計(jì)量相同。物質(zhì)的瞬時(shí)熔化率大大取決于激光照射到靶上的流量。另外，PLD是一種“數(shù)字”技術(shù)，在納米尺度上進(jìn)行工藝控制（A°/pulse）。熔化機(jī)制涉及許多復(fù)雜的物理現(xiàn)象，例如碰撞、熱，與電子的激發(fā)、層離，以及流體力學(xué)。

在第二階段，根據(jù)氣體動(dòng)力學(xué)定律，發(fā)射出來的物質(zhì)有移向基片的傾向，并出現(xiàn)向前散射峰化現(xiàn)象?？臻g厚度隨函數(shù)cosnθ而變化，而n>>1。激光光斑的面積與等離子的溫度，對(duì)沉積膜是否均勻有重要的影響。靶與基片的距離是另一個(gè)因素，支配熔化物質(zhì)的角度范圍。沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司本著多年脈沖激光沉積行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，專注脈沖激光沉積研發(fā)定制與生產(chǎn)，先進(jìn)的脈沖激光沉積生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)，建立了嚴(yán)格的產(chǎn)品生產(chǎn)體系，想要更多的了解，歡迎咨詢圖片上的熱線電話。亦發(fā)現(xiàn)，將一塊障板放近基片會(huì)縮小角度范圍。

第三階段是決定薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵。放出的高能核素碰擊基片表面，可能對(duì)基片造成各種破壞。高能核素濺射表面的部分原子，而在入射流與受濺射原子之間，建立了一個(gè)碰撞區(qū)。膜在這個(gè)熱能區(qū)（碰撞區(qū)）形成后立即生成，這個(gè)區(qū)域正好成為凝結(jié)粒子的較佳場(chǎng)所。然而，因?yàn)樵谀承┨厥馇闆r下，PLD采用較高的壓力，差動(dòng)抽氣是必要的，維持RHEED槍的工作壓力，同時(shí)保持500mTorr的PLD工藝壓力。只要凝結(jié)率比受濺射粒子的釋放率高，熱平衡狀況便能夠快速達(dá)到，由於熔化粒子流減弱，膜便能在基片表面生成。

脈沖激光沉積的優(yōu)點(diǎn)

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1. 易獲得期望化學(xué)計(jì)量比的多組分薄膜，即具有良好的保成分性；

2. 沉積速率高，試驗(yàn)周期短，襯底溫度要求低，制備的薄膜均勻；

3. 工藝參數(shù)任意調(diào)節(jié)，對(duì)靶材的種類沒有限制；

4. 發(fā)展?jié)摿薮螅哂袠O大的兼容性；

5. 便于清潔處理，可以制備多種薄膜材料。

脈沖激光沉積簡(jiǎn)介

脈沖激光沉積，就是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。 在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛，可用來制備金屬、半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜，甚至還用來制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。靶:數(shù)量6個(gè)，大小1-2英寸，被激光照射時(shí)可自動(dòng)旋轉(zhuǎn)，靶的選擇可通過步進(jìn)電機(jī)控制。

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脈沖激光沉積細(xì)節(jié)介紹

很多復(fù)雜氧化物薄膜在相對(duì)高的氧氣壓力（>100 Torr）下冷卻是有利的。所有Pioneer 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工作壓力范圍。從它們的額定初始?jí)毫Φ酱髿鈮毫Α＿@也有益于納米粒子的生成。

Pioneer PLD 系統(tǒng)的激光束入射角為45°，保持了激光密度在靶材上的均勻性，同時(shí)避免使用復(fù)雜而昂貴的光學(xué)部件。淺的入射角能夠拉長(zhǎng)靶材上的激光斑點(diǎn)，導(dǎo)致密度均勻性的損失。

為了避免使用昂貴的與氧氣兼容的真空泵流體，消除油的回流對(duì)薄膜質(zhì)量的影響，所有Pioneer 系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)配置都采用無油真空系統(tǒng)。

我們的研究表明靶和基片的距離是獲得較佳薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵參數(shù)。Pioneer 系統(tǒng)采用可變的靶和基片的距離，對(duì)沉積條件進(jìn)行較大的控制。

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