華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1200A（可擴(kuò)展至1600A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無(wú)需從電路板上取下來(lái)進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)的在線IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便，測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，通過(guò)電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試； 近兩年IGBT測(cè)試儀持續(xù)火爆，新能源汽車，軌道交通，風(fēng)力發(fā)電等等都需要大量的IGBT模塊，所以我們?nèi)A科智源推出了大功率IGBT測(cè)試儀，可以測(cè)試1200A，5000V以內(nèi)的IGBT模塊，基本可以涵蓋現(xiàn)階段的IGBT模塊的測(cè)試了，我們IGBT測(cè)試儀還可以在線檢測(cè)模塊的電性能參數(shù)，對(duì)一些檢修，維護(hù)領(lǐng)域的工作有比較好的幫助，目前國(guó)內(nèi)我們?nèi)A科智源不光是IGBT靜態(tài)測(cè)試儀，包括動(dòng)態(tài)測(cè)試儀，與的設(shè)備也可以放在一起競(jìng)爭(zhēng)了，而且我們不怕競(jìng)爭(zhēng)，這對(duì)我們是一種促進(jìn)。賣方出廠試驗(yàn)詳細(xì)方案應(yīng)提前提交買方評(píng)估，通過(guò)買方評(píng)估合格后實(shí)施方可視為有效試驗(yàn)。

測(cè)量目的：對(duì)模塊的電壓降參數(shù)進(jìn)行檢測(cè), 可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會(huì)隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會(huì)逐漸劣化。因此，定期檢測(cè)可預(yù)防發(fā)現(xiàn)功率模塊故障。1~1ms可設(shè)定 4）柵極漏電流測(cè)試電路柵極漏電流測(cè)試電路 。且變流器由多個(gè)模塊組成，由于個(gè)體差異，大電流情況下的參數(shù)也會(huì)存在個(gè)體差異。因此，測(cè)量大電流情況下的各個(gè)模塊實(shí)際技術(shù)參數(shù)，進(jìn)行跟蹤管理，可有效保障機(jī)車中間直流環(huán)節(jié)可靠運(yùn)行。 IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。

測(cè)試參數(shù)多且完整、應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，但只要使用其基本的2項(xiàng)功能：「開(kāi)啟」電流壓降，「關(guān)閉」電流的漏電流，就可知道大功半導(dǎo)體有沒(méi)有老化的現(xiàn)象。

?可移動(dòng)型儀器，使用方便，測(cè)試簡(jiǎn)單快速，立即提供測(cè)試結(jié)果與數(shù)值。

?適用的半導(dǎo)體元件種類多，尤其能測(cè)大功率元件。

?用戶能確實(shí)掌握新采購(gòu)元件的質(zhì)量，避免用到瑕疵或品。

?完全由計(jì)算機(jī)控制、快速的設(shè)定參數(shù)。

?適用于實(shí)驗(yàn)室和老化篩選的測(cè)試。

?操作非常簡(jiǎn)單、速度快。

?完全計(jì)算機(jī)自動(dòng)判斷、自動(dòng)比對(duì)。

5、感性負(fù)載

5.1 有效電感 L 100 200 500 1000 μH；

5.2 電流 Ic 1000 1000 1000 500 A；

外部電感成陣列的內(nèi)部連接。（外部電感的H值傳給PC，以計(jì)算電流源的極限，限制脈寬到1000us）。

6、標(biāo)準(zhǔn)的雙控制極驅(qū)動(dòng)

6.1 門極電阻可人工預(yù)先設(shè)定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；

6.2 開(kāi)啟（Trun-ON）輸出電壓 Vge ： 15V；

6.3 關(guān)斷（Trun-ON）輸出電壓 Vge- ： -15V；

6.4 脈寬： 10 ~ 1000us （單脈沖、雙脈沖總時(shí)間）；

6.5 電壓開(kāi)關(guān)時(shí)間： < 50ns；

6.6 輸出內(nèi)阻： < 0.5Ω；