電池片的檢驗

電池片的檢驗

一十三、印刷圖型 

主柵線： 

A級：主柵線容許有輕度斷開、缺少、歪曲、突顯，斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，不容許有斷開，缺少、歪曲及其突顯。 

B級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的10%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，容許有斷開，缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯不超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

C級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況 

新的規(guī)范：主柵線：斷開，缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲、突顯不超出一切正常部位的0.5mm， 

副柵線： 

A級：副柵線容許大小不勻稱，存有總寬超過0.13mm，低于18mm的副柵線，段柵線≤6條，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級占地面積的5%.

新的規(guī)范：副柵線清楚，容許有兩根柵線存有斷開，斷掉總數(shù)≤3條，斷掉間距≤0.5mm；不容許有一切虛印、粗點；不容許有掉色狀況。 

B級：容許大小不勻稱，存有總寬≤0.25mm的副柵線，段柵線≤10條，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級占地面積的10%. 

電池片的制作工藝

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影響因素

1. 溫度

溫度 T 越高，擴散系數(shù) D 越大，擴散速度越快。

2. 時間

對于恒定源：時間 t 越長結(jié)深越深，但表面濃度不變。

對于限定源：時間 t 越長結(jié)深越深，表面濃度越小。

3. 濃度

決定濃度是因素：氮氣流量、源溫。

表面濃度越大，擴散速度越快。

4. 第三組元

主要是摻硼量對擴散的影響，雜質(zhì)增強擴散機制。在二元合金中加入第三元素時，擴散系數(shù)也會發(fā)生變化。摻硼量越大，擴散速率越快。即電阻率越小，越容易擴散。

控制點

方塊電阻，外觀，單片均勻性，整管均勻性。

方塊電阻： 表面為正方形的半導體薄層在電流方向所呈現(xiàn)的電阻。 R= 電阻率 *L/S, 對方塊硅片，長度等于寬度，則 R= 電阻率 / 厚度，方塊電阻～ ( １／ Ns*Xj) Ns ：電化學濃度， Xj ：擴散結(jié)深。

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太陽電池片規(guī)范 

1、范疇 

本規(guī)范適用百力達結(jié)晶硅太陽電池，包含單晶硅太陽電池和多晶硅太陽電池（下稱充電電池）。

2、規(guī)范化引證文檔以下文檔中的條文根據(jù)本規(guī)范的引證而變成本規(guī)范的條文。因此注時間的引證文檔，其接著全部的改動單（不包含勘誤的內(nèi)容）或改版均不適感用以本規(guī)范，但激勵依據(jù)本規(guī)范達成共識的多方科學研究是不是可應用這種文檔的新版。因此不注時間的引證文檔，其新版適用本規(guī)范。 

GB/T2297自然光伏能源系統(tǒng)專業(yè)術(shù)語GB/T6618硅片薄厚和總薄厚轉(zhuǎn)變測試標準GB/T6495.1太陽能發(fā)電元器件首位一部分：太陽能發(fā)電電流量—工作電壓特點的測量（idtIEC904—1：1987） 

GB/T6495.3太陽能發(fā)電元器件后一部分：路面用太陽能發(fā)電元器件的測量基本原理及規(guī)范光譜儀副光照強度數(shù)（idtIEC904—3：1987） 

GB/T17473.3厚膜電子信息技術(shù)用貴重金屬料漿測試標準方阻測量 

GB/T17473.7厚膜電子信息技術(shù)用貴重金屬料漿測試標準可焊性、耐焊性測量 

GB2828.1一部分：技術(shù)性抽樣檢驗程序流程按接受品質(zhì)限（AQL）查找的逐批檢測取樣方案 

GB2829周期時間檢測記數(shù)取樣程序流程及表（適用加工過程可靠性的查驗）SJ/T10459太陽電池溫度指數(shù)測試標準ASTMD3359standardtestmethodsformeasuringadhesionbytapetest（膠布實驗測量黏合性的方式 ）

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電池片流程

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電池片流程

1、   車間段位構(gòu)成

WHQ ：硅片為太陽能電池片的載體，硅片的質(zhì)量決定了電池片的轉(zhuǎn)換效率。而該工序則是對硅片的來料檢測，主要是包括厚度， TTV ，電阻率，外觀 （破片，缺角，孔洞，臟污）

需注意 :

1)   切割方向會厚薄不均，放片時需 180 度錯落放置以保證放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細 柵方向，預防水波紋出現(xiàn)。

2)   線痕：   單線痕

密集線痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以會有粘度導致原硅片粘連，放置時需輕微搖晃。

制絨： 目的：去除表面損傷層，對表面進行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉(zhuǎn)換率。

減重 ，活性不均勻會影響到后面 PEVCD 工序使硅片出現(xiàn)問題制絨過程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時間為兩小時，兩小時內(nèi)要及時送入下一工序。