太陽電池片標(biāo)準(zhǔn)

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

5 、 檢測方法

5.1 設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)

5.1.1   基體材料

電池的基體材料應(yīng)按相關(guān)詳細(xì)規(guī)范的要求及檢測方法進(jìn)行檢測。

5.1.2   電極

5.1.2.1  電池電極的完整性、電極圖形位移的檢驗(yàn)應(yīng)使用分辨力優(yōu)于 0.01mm 的標(biāo)準(zhǔn)尺測量。

5.1.2.2 在照度不小于 800Lux 的白色光源下，目測電極是否變色。

5.1.2.3 電池電極的導(dǎo)電性按 GB/T17473.3  進(jìn)行。

5.1.2.4 電池電極的可焊性按 GB/T17473.7  進(jìn)行。

5.1.3 背面鋁膜

5.1.3.1 背面鋁膜與基體材料的匹配性檢測

通過檢測電池的彎曲變形，驗(yàn)證背面鋁膜材料的熱膨脹系數(shù)與基體材料的匹配性。適用表面平整度優(yōu)于 0.01mm 平臺(tái)，電池背面朝下水平放置，用分辨力優(yōu)于 0.01mm 的量具進(jìn)行檢驗(yàn)。

5.1.3.2 背面鋁膜與基體材料的附著強(qiáng)度測驗(yàn)

如圖 2 所示放置樣品，在滿足 EVA 充分交聯(lián)的條件下壓層，取出后立即撕下四氟布，待冷卻到室溫后，用刀割斷 EVA 和鋁膜，撕去 EVA 條，觀察有無鋁膜脫落。

5.1.3.3 背面鋁膜外觀檢驗(yàn)

背面鋁膜的凸起高度應(yīng)使用分辨力優(yōu)于 0.01mm 的帶標(biāo)尺的光學(xué)顯微鏡測量，圖形缺陷采用目測。圖形位移采用分辨力優(yōu)于 0.02mm 的卡尺測量。

5.1.3.4 背面鋁膜的導(dǎo)電性檢測背面鋁膜的導(dǎo)電性按GB/T17473.3 進(jìn)行。

5.1.4  減反射膜附著強(qiáng)度檢測

減反射膜附著強(qiáng)度的測試采用膠帶試驗(yàn)測定粘合性的方法，膠帶附著強(qiáng)度不小于 44N/mm 。具體按 ASTM3359 進(jìn)行，減反射膜不脫落。

電池片常見異常情況處理方法

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四、 鋁珠：

鋁珠產(chǎn)生的根本原因是過燒，鋁的熔點(diǎn)是660℃，當(dāng)鋁受熱超過這一溫度時(shí)，鋁顆粒熔化形成了鋁珠。通常，燒結(jié)爐的設(shè)置溫度都遠(yuǎn)高于這一溫度，這里所說的660℃是指電池片表面實(shí)際感受的溫度，設(shè)置的溫度雖高，由于燒結(jié)爐帶速很快，鋁層實(shí)際感受到的溫度是遠(yuǎn)低于設(shè)置溫度的。

解決這一問題的辦法是降下燒結(jié)區(qū)溫度，或是加快燒結(jié)爐的帶速，減少熱量的給予。此法效果非常明顯，鋁珠可得到有效控制。另一方面過分降溫會(huì)損失電池片的電性能數(shù)據(jù)，那么降到什么程度呢，我們的經(jīng)驗(yàn)是，降溫到電池片背面手感略微粗糙即可。

五、 鋁刺：

1、 背場印刷表面不均勻:檢查刮條的平整度；

2、 燒結(jié)網(wǎng)帶不潔凈：清洗網(wǎng)帶或?qū)ν鼛нM(jìn)行打磨；

3、 燒結(jié)網(wǎng)帶抖動(dòng)嚴(yán)重：由設(shè)備人員來調(diào)整網(wǎng)帶；

4、 燒結(jié)溫度過高：不影響電性能的情況下降下燒結(jié)溫度；

電池片各工序影響因素及異常情況

電池片各工藝流程危害要素及異?，F(xiàn)象 

4.NaOH產(chǎn)生金字塔式絨面。NaOH濃度值越高，金字塔式容積越小，反映前期，金字塔式成核相對(duì)密度類似沒受NaOH濃度值危害，堿水溶液的腐蝕隨NaOH濃度值轉(zhuǎn)變比較顯著，濃度值高的NaOH水溶液與硅體現(xiàn)的速率加速，再反映過段時(shí)間后，金字塔式容積更大。NaOH濃度值超出必須界線時(shí)，各向異性系數(shù)縮小，絨面會(huì)愈來愈差，類似打磨拋光?？煽匦运剑号cIPA相近，線性度不高。 

5.Na2SiO3SI和NaOH反映生產(chǎn)制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有緩沖劑的功效，使反映不會(huì)很強(qiáng)烈,變的輕緩。Na2SiO3使反映擁有大量的起始點(diǎn)，生長發(fā)育出的金字塔式更勻稱，更小一點(diǎn)兒Na2SiO3多的那時(shí)候要立即的排出去，Na2SiO3傳熱性差，會(huì)危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易產(chǎn)生水流、花藍(lán)印和表層黑斑。可控性水平：沒辦法操縱。4酸洗鈍化HCL除去硅片表層的金屬材料殘?jiān)蛩峋邆渌岷徒j(luò)合劑的雙向功效，硫酸鹽能與多種多樣金屬材料正離子產(chǎn)生可溶解與水的絡(luò)合物。6酸洗鈍化HF除去硅片表層空氣氧化層，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。 

基準(zhǔn)點(diǎn)1．減薄量界定：硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。操縱范疇多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首籃減薄量在0.7±0.2g；之后減薄量在0.6±0.2g。2．絨面分辨規(guī)范：成核相對(duì)密度高，尺寸適度，勻稱。

操縱范疇：多晶硅：金字塔式規(guī)格3~10um。3．外型無豁口，黑斑，裂痕，激光切割線，刮痕，凹痕，有沒有白斑病，贓污。