LED外延片生長(zhǎng)的基本原理

LED外延片是一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片，材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。

LED外延片生長(zhǎng)的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片(主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si)上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長(zhǎng)出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法。

LED外延片襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。

LED芯片的分類(lèi)——TS芯片和AS芯片

LED芯片的分類(lèi)有哪些呢？

TS芯片定義和特點(diǎn)

定義：transparent structure(透明襯底)芯片，該芯片屬于HP的專(zhuān)i利產(chǎn)品。

特點(diǎn)：

(1)芯片工藝制作復(fù)雜，遠(yuǎn)高于AS LED。

(2)信賴性卓i越。

(3)透明的GaP襯底，不吸收光，亮度高。

(4)應(yīng)用廣泛。

AS芯片定義與特點(diǎn)

定義：Absorbable structure (吸收襯底)芯片;經(jīng)過(guò)近四十年的發(fā)展努力，臺(tái)灣LED光電業(yè)界對(duì)于該類(lèi)型芯片的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售處于成熟的階段，各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平，差距不大。

大陸芯片制造業(yè)起步較晚，其亮度及可靠度與臺(tái)灣業(yè)界還有一定的差距，在這里我們所談的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg：712SOL-VR， 709SOL-VR， 712SYM-VR，709SYM-VR等。

(1)四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對(duì)于常規(guī)芯片要亮。

(2)信賴性優(yōu)良。

(3)應(yīng)用廣泛。

LED芯片發(fā)展歷程

2003年6月中國(guó)科技部首i次提出我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體照明，標(biāo)志著我國(guó)半導(dǎo)體照明項(xiàng)目正式啟動(dòng)。

2006年的“十一五”將半導(dǎo)體照明工程作為國(guó)家的一個(gè)重大工程進(jìn)行推動(dòng)，在國(guó)家政策和資金的傾斜支持下，2010年我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模超1500億元。

2011年國(guó)家發(fā)改委正式發(fā)布中國(guó)淘汰白熾燈的政府公告及路線圖，明確提出2016年將全i面禁止白熾燈的銷(xiāo)售。2011年至2016年為淘汰白熾燈的過(guò)渡期，同時(shí)也是LED照明行業(yè)的快速發(fā)展期。

中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)起步階段，芯片主要依賴進(jìn)口。近年來(lái)，在國(guó)家政府政策支持下，我國(guó)LED芯片廠商加大研發(fā)投入，國(guó)內(nèi)LED芯片行業(yè)發(fā)展迅速，產(chǎn)能逐漸向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，2017年國(guó)內(nèi)LED芯片供過(guò)于求苗頭初現(xiàn)，主流芯片廠開(kāi)始轉(zhuǎn)向高i端產(chǎn)能并進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。