●輸出兩個(gè)繞組，個(gè)是能夠提供27V30A的主繞組，第二個(gè)是能夠提供140V啟動(dòng)電壓，經(jīng)過(guò)串聯(lián)在整流二極管前面的電容來(lái)限制啟動(dòng)機(jī)電流<0.5A電流的。當(dāng)開機(jī)時(shí)輸出電壓根據(jù)輔助繞組的反饋電壓，開環(huán)狀態(tài)啟動(dòng)繞組電壓被限制到140V左右，氙氣燈在高達(dá)140V電壓立即啟動(dòng)后，由于高壓繞組的串聯(lián)電容存在，這個(gè)電流無(wú)法高起來(lái)。而一旦氙氣燈啟動(dòng),此電壓同步拉低到主繞組電壓27V左右，因?yàn)榍岸嘶ジ衅麟娏鞑蓸邮沟幂敵龉β适芟拗?，所?7V的電壓不會(huì)被抬高。

?！癯跫?jí)與次級(jí)主繞組必須是近相鄰的繞組，這樣耦合會(huì)更有利?！耖_關(guān)電源在MOSFET-D端點(diǎn)工作時(shí)候產(chǎn)生的干擾是（也是RCD吸收端與變壓器相連的端點(diǎn)），在變壓器繞制時(shí)建議將他繞在變壓器的個(gè)繞組，并作為起點(diǎn)端，讓他藏在變壓器里層，這樣后面繞組銅線的屏蔽是有較好抑制干擾效果的?！馰CC繞組在計(jì)算其圈數(shù)時(shí)盡量的在IC工作電壓乘以1.1倍作為誤差值，不用考慮銅線的壓降，因?yàn)閱?dòng)前電流是非常小的，所以這個(gè)電阻并沒(méi)有多少影響，幾乎可以忽略不計(jì)。

LEB前沿消隱時(shí)間設(shè)短了，比尖峰脈沖的時(shí)間還短，那就沒(méi)有效果了還是會(huì)誤判；如果設(shè)長(zhǎng)了，真正的過(guò)流來(lái)了起不到保護(hù)的作用。 Rcs與Ccs的RC值不可超過(guò)1NS的Delay，否則輸出短路時(shí)，Vds會(huì)比滿載時(shí)還高，超過(guò)MOSFET耐壓就可能造成炸機(jī)。 經(jīng)驗(yàn)值1nS的Delay約等于1K對(duì)100PF，也等于100R對(duì)102PF 16.畫小板時(shí)，在小板引腳的90度拐角處增加一個(gè)圓形鉆孔。理由：方便組裝 如圖： 實(shí)物如圖： 實(shí)際組裝如圖： 這樣做可以使小板與PCB大板之間緊密貼合，不會(huì)有浮高現(xiàn)象 17.電路設(shè)計(jì)，肖特基的散熱片可以接到輸出正極線路，這樣鐵封的肖特基就不用絕緣墊和絕緣粒 18.電路調(diào)試，15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007，因?yàn)?N4007速度慢300uS，壓降也大1.3V，老化過(guò)程中溫度很高，容易失效造成炸機(jī) 19.電路調(diào)試，輸出濾波電容的耐壓致少需符合1.2倍余量，避勉量產(chǎn)有損壞現(xiàn)象。


43.一款48W（36V/1.33A）整改EMI案例，僅僅是調(diào)整了肖特基吸收就把30-40M壓下來(lái)。 115Vac低壓30M紅色頂線 230Vac高壓30M紅色也頂線 調(diào)整肖特基吸收后：115Vac低壓，走勢(shì)圖非常漂亮 230Vac高壓，走勢(shì)圖非常漂亮44.安規(guī)距離一覽表。 45.剛?cè)腴T使用CAD、PADS上容易遇到的問(wèn)題。a..PADS畫好的PCB導(dǎo)出為DXF文件，CAD打開后是由雙線組成的空心線段，如圖： 剛開始不會(huì)時(shí)，是用L命令一根一根的描，狂汗