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發(fā)布時(shí)間:2021-09-06 16:22  
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點(diǎn)電荷的場(chǎng)強(qiáng)公式:點(diǎn)電荷Q在真空中某點(diǎn)產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)公式為: ;Q是產(chǎn)生電場(chǎng)的場(chǎng)源電荷的大小。r是所研究點(diǎn)到場(chǎng)源電荷的距離。場(chǎng)強(qiáng)的定義是根據(jù)電場(chǎng)對(duì)電荷有作用力的特點(diǎn)得出的。對(duì)電荷激發(fā)的靜電場(chǎng)和變化磁場(chǎng)激發(fā)的渦旋電場(chǎng)都適用。電場(chǎng)的特性是對(duì)電荷有電場(chǎng)力的作用
電容的作用就是通交流隔直流,通高頻阻低頻。電容越大高頻越容易通過(guò)。具體用在濾波中,大電容(1000μF)濾低頻,小電容(20pF)濾高頻。曾有形象地將濾波電容比作“水塘”。由于電容的兩端電壓不會(huì)突變,由此可知,信號(hào)頻率越高則衰減越大,可很形象的說(shuō)電容像個(gè)水塘
200n檔,宜于測(cè)量20nF至200nF之間的電容;2μ檔,宜于測(cè)量200nF至2μF之間的電容;20μ檔,宜于測(cè)量2μF至20μF之間的電容。經(jīng)驗(yàn)證明,有些型號(hào)的數(shù)字萬(wàn)用表(例如DT890B )在測(cè)量50pF以下的小容量電容器時(shí)誤差較大,測(cè)量20pF以下電容幾乎沒(méi)有參考價(jià)值。
實(shí)踐證明,利用數(shù)字萬(wàn)用表也可觀察電容器的充電過(guò)程,這實(shí)際上是以離散的數(shù)字量反映充電電壓的變化情況。設(shè)數(shù)字萬(wàn)用表的測(cè)量速率為n次/秒,則在觀察電容器的充電過(guò)程中,每秒鐘即可看到n個(gè)彼此獨(dú)立且依次增大的讀數(shù)。根據(jù)數(shù)字萬(wàn)用表的這一顯示特點(diǎn)