半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外，其各項參數(shù)能否達(dá)到電路上的要求，必須定期測量，否則產(chǎn)品的質(zhì)量特性很難保證，尤其是較大的功率元件，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導(dǎo)致燒毀，甚至在使用中會發(fā)生。所以對新產(chǎn)品及使用中的元件參數(shù)的篩選及檢查更為重要。 半導(dǎo)體元件的每一個參數(shù)，依其極性的不同，都須要一個獨特的測量電路，我公司所設(shè)計生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動測試系統(tǒng)，具有一組繼電器形成的矩陣電路，依每個參數(shù)的定義，形成千變?nèi)f化的電路，再依元件的出廠規(guī)格加上額定的電流或電壓后，在極短的時間內(nèi)將所須要的數(shù)據(jù)量測出來，且有些參數(shù)從量測的數(shù)據(jù)經(jīng)快速運算即可得知其特性是否在規(guī)定范圍內(nèi)。功率元件由于經(jīng)常有大電流往復(fù)的沖擊，對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經(jīng)常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問題。

3、技術(shù)指標(biāo) * 3.1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機臺可測IGBT項目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導(dǎo)通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機臺可測MOS項目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測試項目 測量范圍 測試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；用戶能對舊品元件作篩選，留下可用元件，確實掌握設(shè)備運轉(zhuǎn)的可靠度。

3.6 VCES 集射極截止電壓 0~5000V 集電極電流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集電極電壓VCES： 0-5000V±1.5%±2V； * 3.7 ICES 集射極截止電流 0.01～50mA 集電極電壓VCES： 50～500V±2%±1V； 500～5000V±1.5%±2V； 集電極電流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～150mA±1%±0.1mA； * 3.8 VCE(sat) 飽和導(dǎo)通壓降 0.001～10V 集電極電流ICE： 0-1600A 集電極電壓VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 柵極電壓Vge： 5～40V±1%±0.01V 集電極電流ICE： 0～100A±1%±1A； 100～1600A±2%±2A； * 3.9 Iges 柵極漏電流 0.01～10μA 柵極漏電流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 柵極電壓Vge： ±1Ｖ～40V±1%±0.1V； Vce=0V； * 3.10 VF 正向特性測試 0.1～5V 二極管導(dǎo)通電壓Vf： 0.1～5V±1%±0.01V 電流IF： 0～100A±2%±1A； 100～1600A±1.5%±2A；001～10V 集電極電流ICE： 0-1600A 集電極電壓VCEs： 0。

6）短路保護(hù)放電回路 緊急情況下快速放電，保證緊急情況時快速使設(shè)備處于安全電位。 ?回路耐壓 DC10kV ?放電電流 10kA（5ms） ?工作溫度 室溫～40℃； ?工作濕度 <70% 7）正常放電回路 用于設(shè)備正常關(guān)機時放電，使設(shè)備處于安全電位。 ?回路耐壓 10kV ?放電電流 50A ?工作溫度 室溫～40℃； ?工作濕度 <70% 8）高壓大功率開關(guān) ?電流能力 2000A ?隔離耐壓 10kV ?響應(yīng)時間 150ms ?脈沖電流 20kA（不小于10ms） ?工作方式 氣動控制 ?工作氣壓 0.4MPa ?工作溫度 室溫～40℃ ?3電流持續(xù)時間It：10~1000us單個脈沖或雙脈沖的總時間。工作濕度 <70%