電池片的檢驗(yàn)

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

背電場：

A 級：

背電場完整，厚薄均勻，允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 15% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：背電場完整，厚薄均勻，不允許有缺失

B 級：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 10% ，變色面積不超過背電場面積的 30% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 15% 。

C 級：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 10% ，變色面積不超過背電場面積的 50% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 50% 。

粗點(diǎn)：

粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個數(shù)小于 2 個

新的標(biāo)準(zhǔn)：不允許有粗點(diǎn)

粗點(diǎn)寬度≤ 0.25mm ，個數(shù)小于 5 個

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有粗點(diǎn)，粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個數(shù)小于 2 個

粗點(diǎn)寬度≤ 0.3mm ，個數(shù)小于 8 個

新的標(biāo)準(zhǔn)：當(dāng)主柵線或副柵線有明顯粗細(xì)不均時，應(yīng)用刻度顯微鏡進(jìn)行查檢。

電池片的制作工藝

影響因素

1. 溫度

溫度 T 越高，擴(kuò)散系數(shù) D 越大，擴(kuò)散速度越快。

2. 時間

對于恒定源：時間 t 越長結(jié)深越深，但表面濃度不變。

對于限定源：時間 t 越長結(jié)深越深，表面濃度越小。

3. 濃度

決定濃度是因素：氮?dú)饬髁?、源溫?

表面濃度越大，擴(kuò)散速度越快。

4. 第三組元

主要是摻硼量對擴(kuò)散的影響，雜質(zhì)增強(qiáng)擴(kuò)散機(jī)制。在二元合金中加入第三元素時，擴(kuò)散系數(shù)也會發(fā)生變化。摻硼量越大，擴(kuò)散速率越快。即電阻率越小，越容易擴(kuò)散。

控制點(diǎn)

方塊電阻，外觀，單片均勻性，整管均勻性。

方塊電阻： 表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向所呈現(xiàn)的電阻。 R= 電阻率 *L/S, 對方塊硅片，長度等于寬度，則 R= 電阻率 / 厚度，方塊電阻～ ( １／ Ns*Xj) Ns ：電化學(xué)濃度， Xj ：擴(kuò)散結(jié)深。