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發(fā)布時(shí)間:2021-08-23 13:59  

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檢測(cè)結(jié)果:激光器使用壽命上限

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     IGBT模塊在使用時(shí)的損壞原因  IGBT在使用過(guò)程中經(jīng)常受到容性或感性負(fù)載的沖擊,承受過(guò)負(fù)荷甚至負(fù)載短路等,可能導(dǎo)致IGBT損壞。IGBT模塊在使用時(shí)的損壞原因主要有:

    過(guò)電流損壞——鎖定效應(yīng)

 IGBT為復(fù)合器件,其內(nèi)有一個(gè)寄生晶閘管,在規(guī)定的漏極電流范圍內(nèi),NPN的正偏壓不足以使NPN晶體管導(dǎo)通,當(dāng)漏極電流大到一定程度時(shí),這個(gè)正偏壓足以使NPN晶體管開(kāi)通,進(jìn)而使NPN或PNP晶體管處于飽和狀態(tài),于是寄生晶閘管開(kāi)通,柵極失去了控制作用,便發(fā)生了鎖定效應(yīng)。IGBT發(fā)生鎖定效應(yīng)后,集電極電流過(guò)大,造成了過(guò)高的功耗而導(dǎo)致器件損壞。廣州欣貝醫(yī)療科技有限公司專(zhuān)業(yè)維修:科醫(yī)人、愛(ài)科凱能、瑞科恩、普東、大華、大族科瑞達(dá)、麗薩、利索、多尼爾、利索等所有品牌的鈥激光設(shè)備。



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激光是什么?

1. 粒子數(shù)反轉(zhuǎn)(激光產(chǎn)生的基本條件)

在通常情況下,處于低能級(jí)E1的原子數(shù)大于處于高能級(jí)E2的原子數(shù),這種情況得不到激光。為了得到激光,就必須使高能級(jí)E2上的原子數(shù)目大于低能級(jí)E1上的原子數(shù)目,因?yàn)镋2上的原子多,發(fā)生受激輻射,使光增強(qiáng)。

2. 自發(fā)輻射與受激輻射

粒子自發(fā)地從高能級(jí)躍遷到低能級(jí),同時(shí)發(fā)出一個(gè)光子,這一過(guò)程叫做自發(fā)輻射。

若處在高能級(jí)的粒子,在一個(gè)能量等于兩能級(jí)之差(E2-E1)的光子作用下,從高能級(jí)躍遷到低能級(jí)并發(fā)射一個(gè)光子,這一過(guò)程稱(chēng)為受激發(fā)射。與自發(fā)輻射不同,輻射一定要在外來(lái)光作用下發(fā)生并發(fā)射一個(gè)與外來(lái)光子完全相同的光子。