化學(xué)氣相沉積工藝是這樣一種沉積工藝，被沉積物體和沉積元素（單元或多元）蒸發(fā)化合物置于反應(yīng)室，當(dāng)高溫氣流進(jìn)入反應(yīng)室時(shí)，可控制的反應(yīng)室可使其發(fā)生一種合適的化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致被沉積物體的表面形成一種膜層，同時(shí)將反應(yīng)產(chǎn)物及多余物從反應(yīng)室蒸發(fā)排除。

鍍膜機(jī)工藝在防偽技能中的運(yùn)用防偽膜品種許多，從運(yùn)用辦法可分為反射式和透射式；從膜系附著辦法能夠分為直接鍍膜式、直接鍍膜式或直接鍍膜剪貼式。

氣相沉積是一種在基體表面形成功能膜層的技術(shù)，它是利用物質(zhì)在氣相中產(chǎn)生的物理或(及)化學(xué)反應(yīng)而在產(chǎn)品表面沉積單層或多層的、單質(zhì)或化合物的膜層，從而使產(chǎn)品表面獲得所需的各種優(yōu)異性能。

氣相沉積作為一種表面鍍膜方法，其基本步驟有需鍍物料氣相化->輸運(yùn)->沉積。它的主要特點(diǎn)在于不管原來需鍍物料是固體、液體或氣體，在輸運(yùn)時(shí)都要轉(zhuǎn)化成氣相形態(tài)進(jìn)行遷移，終到達(dá)工件表面沉積凝聚成固相薄膜。

化學(xué)氣相沉積TiN

將經(jīng)清洗、脫脂和氨氣還原處理后的模具工件，置于充滿H2（體積分?jǐn)?shù)為99.99%）的反應(yīng)器中，加熱到900-1100℃，通入N2（體積分?jǐn)?shù)為99.99%）的同時(shí)，并帶入氣態(tài)TiCl4（質(zhì)量分?jǐn)?shù)不低于99.0%）到反應(yīng)器中，則在工件表面上發(fā)生如下化學(xué)反應(yīng)：

2TiCl4（氣） N2（氣） 4H2（氣）→2TiN（固） 8HCl（氣）

固態(tài)TiN沉積在模具表面上形成TiN涂層，厚度可達(dá)3-10μm，副產(chǎn)品HCl氣體則被吸收器排出。工藝參數(shù)的控制如下：

（1）氮?dú)浔葘iN的影響

一般情況下，氮?dú)潴w積比VN2/VH2<1/2時(shí)，隨著N2的增加，TiN沉積速率增大，涂層顯微硬度增大；當(dāng)VN2/VH2≈1/2時(shí)，沉積速率和硬度達(dá)到值；當(dāng)VN2/VH2>1/2時(shí)，沉積速率和硬度逐漸下降。當(dāng)VN2/VH2≈1/2時(shí)，所形成的TiN涂層均勻致密，晶粒細(xì)小，硬度，涂層成分接近于化學(xué)當(dāng)量的TiN，而且與基體的結(jié)合牢固。因此，VN2/VH2要控制在1/2左右。