PCB 外層電路的蝕刻工藝

在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個較為精細和覆雜的化學反應過程, 卻又是一項易 于進行的工作。此方法所使用的溶液為二價銅,不是氨-銅蝕刻,它將有可能被用在印制電路工業(yè)中。 只要工藝上達至調通﹐就可以進行連續(xù)性的生產, 但關鍵是開機以后就必 需保持連續(xù)的工作狀態(tài)﹐不適宜斷斷續(xù)續(xù)地生產。 蝕刻工藝對設備狀態(tài)的依賴性極大, 故 必需時刻使設備保持在良好的狀態(tài)。 目前﹐無論使用何種蝕刻液﹐都必須使用高壓噴淋﹐ 而為了獲得較整齊的側邊線條和高質量的蝕刻效果﹐對噴嘴的結構和噴淋方式的選擇都必 須更為嚴格。

此方法所使用的溶液為二價銅, 不是氨-銅蝕刻, 它將有可能被用在印制電路工業(yè)中。對于優(yōu)良側面效果的制造方式﹐外界均有不同的理論、設計方式和設備結構的研究,而這些理論卻往往是人相徑庭的。 在 PCH 工業(yè)中, 蝕刻銅箔的典型厚度為 5 到 10 密耳(mils), 有些情況 下厚度卻相當大。它對蝕刻參數(shù)的要求經常比 PCB 工業(yè)更為苛刻。 有一項來自 PCM 工業(yè)系統(tǒng)但尚未正式發(fā)表的研究成果﹐相信其結果將會令人耳目一新。 由于有雄厚的項目支持﹐因此研究人員有能力從長遠意議上對蝕刻裝置的設計思想進 行改變﹐同時研究這些改變所產生的效果。 比如說﹐與錐形噴嘴相比﹐采用扇形噴嘴的設 計效果更佳﹐而且噴淋集流腔 （即噴嘴擰進去的那一段管） 也有一個安裝角度﹐對進入蝕刻 艙中的工件呈 30 度噴射﹐若不進行這樣的改變, 集流腔上噴嘴的安裝方式將會導致每個相 領噴嘴的噴射角度都不一致。

光刻和蝕刻技術，用光膠、掩膜、和紫外光進行微制造，由薄膜沉積，光刻和蝕刻 三個工序組成。④用噴淋式蝕刻機蝕刻用數(shù)個噴水頭從上向下噴淋蝕刻液，金屬板放在下邊的傳送帶上向前走，控制好速度，走出后即蝕刻完畢。 ? 光刻前首先要在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數(shù)埃到幾十微米，稱為薄膜 沉積。然后在薄膜表面用甩膠機均勻地覆蓋上一層光膠，將掩膜上微流控芯片設計 圖案通過曝光成像的原理轉移到光膠層的工藝過程稱為光刻。 ? 光刻的質量則取決于光抗蝕劑（有正負之分）和光刻掩膜版的質量。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射（如紫外光）時，在圖形區(qū)和非圖形區(qū)產生不同的光吸收和 透過能力。