離子屬刻蝕機(jī)的注意事項(xiàng)

創(chuàng)世威納——專業(yè)離子束刻蝕機(jī)供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

#.在設(shè)備工作時(shí),禁止扶、靠設(shè)備，禁止觸摸高頻電纜和線圈，以免發(fā)生意外

#.高頻電源實(shí)際使用功率不能超過較大限制#.檢查設(shè)備時(shí)，必須關(guān)機(jī)后切斷電源

#. 工作場(chǎng)地必須保持清潔、干燥，設(shè)備上及設(shè)備周圍不得放置無關(guān)物品，特別是易1燃、易1爆物品

#.長(zhǎng)期停放時(shí)注意防潮，拆除電源進(jìn)線，每隔3-5天開一次機(jī)，保證反應(yīng)室真空以免被污 染

#.設(shè)備停機(jī)、過夜也要保持反應(yīng)室真空，如停機(jī)較長(zhǎng)時(shí)間后再進(jìn)行刻蝕工藝，需先進(jìn)行一次空載刻蝕，再刻蝕硅片

離子束刻蝕

離子束刻蝕也稱為離子銑，是指當(dāng)定向高能離子向固體靶撞擊時(shí),能量從入射離子轉(zhuǎn)移到固體表面原子上，如果固體表面原子間結(jié)合能低于入射離子能量時(shí)，固體表面原子就會(huì)被移開或從表面上被除掉。通常離子束刻蝕所用的離子來自惰性氣體。離子束較小直徑約10nm，離子束刻蝕的結(jié)構(gòu)較小可能不會(huì)小于10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達(dá)100nm以下，少的達(dá)到10nm，獲得較小線寬12nm的加工結(jié)果。相比電子與固體相互作用，離子在固體中的散射效應(yīng)較小，并能以較快的直寫速度進(jìn)行小于50nm的刻蝕，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術(shù)的另一優(yōu)點(diǎn)是在計(jì)算機(jī)控制下的無掩膜注入，甚至無顯影刻蝕，直接制造各種納米器件結(jié)構(gòu)。但是，在離子束加工過程中，損傷問題比較突出，且離子束加工精度還不容易控制，控制精度也不夠高。

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刻蝕工藝過程

以下內(nèi)容由創(chuàng)世威納為您提供，今天我們來分享刻蝕工藝過程的相關(guān)內(nèi)容，希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助！

等離子體刻蝕工藝包括以下六個(gè)步驟。 分離： 氣體由等離子體分離為可化學(xué)反應(yīng)的元素； 擴(kuò)散： 這些元素?cái)U(kuò)散并吸附到硅片表面； 表面擴(kuò)散：到達(dá)表面后， 四處移動(dòng)； 反應(yīng)： 與硅片表面的膜發(fā)生反應(yīng)； 解吸： 反應(yīng)的生成物解吸， 離開硅片表面； 排放： 排放出反應(yīng)腔。