它在大氣中的壽命約為50,000年，全球增溫(全球暖化)系數(shù)是6,500(二氧化碳的系數(shù)是1)。雖然結(jié)構(gòu)與氟氯烴相似，但四氟化碳不會(huì)破壞臭氧層。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中，向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。

四氟化碳在不同的大氣壓下呈現(xiàn)的狀態(tài)是不同的，就像氧氣在101kPa時(shí)會(huì)呈現(xiàn)出液態(tài)。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體，發(fā)揮性較高.四氟化碳一般認(rèn)為是惰性低毒物質(zhì)，在高濃度下是窒息劑，其毒性不及四1氯化碳。產(chǎn)品經(jīng)除塵，堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進(jìn)行間歇粗餾，通過控制精餾溫度，除去O2、N2、H2，得到高純CF4。

四氟化碳（CF4）在電離后會(huì)產(chǎn)生含成分的刻蝕性氣相等離子體，能夠?qū)Ω鞣N有機(jī)表面實(shí)現(xiàn)刻蝕及有機(jī)物去除，在晶圓制造、線路板制造、太陽能電池板制造等行業(yè)中被廣泛應(yīng)用。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中，緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼?，并通過加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。四氟化碳是一種鹵代烴，化學(xué)式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳，也可以被視為一種無機(jī)化合物。零下198 °C時(shí)，四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。

高純四氟化碳主要用于集成電路、半導(dǎo)體的等離子刻蝕領(lǐng)域，可用來蝕刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料，是用量大的等離子蝕刻氣體。此外，高純四氟化碳還可用于印刷電路板清潔、電子元器件清洗、太陽能電池生產(chǎn)等領(lǐng)域。四氟化碳用于各種集成電路的等離子刻蝕工藝，也用作激光氣體，用于低溫制冷劑、溶劑、潤滑劑、絕緣材料、紅外檢波管的冷卻劑。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化后，隨后通過硅膠干燥塔得到產(chǎn)品。