光刻膠

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1959 年被發(fā)明以來就成為半導(dǎo)體工業(yè)核心的工藝材料之一。隨后光刻膠被改進(jìn)運(yùn)用到印制電路板的制造工藝,成為 PCB 生產(chǎn)的重要材料。

二十世紀(jì) 90 年代,光刻膠又被運(yùn)用到平板顯示的加工制作,對平板顯示面板的大尺寸化、高精細(xì)化、彩色化起到了重要的推動(dòng)作用。

在半導(dǎo)體制造業(yè)從微米級、亞微米級、深亞微米級進(jìn)入到納米級水平的過程中,光刻膠也起著舉足輕重的作用。

總結(jié)來說,光刻膠產(chǎn)品種類多、專用性強(qiáng),需要長期技術(shù)積累,對企業(yè)研發(fā)人員素質(zhì)、行業(yè)經(jīng)驗(yàn)、技術(shù)儲(chǔ)備等都具有極高要求,企業(yè)需要具備光化學(xué)、有機(jī)合成、高分子合成、精制提純、微量分析、性能評價(jià)等技術(shù),具有極高的技術(shù)壁壘。

   光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)

1．靈敏度（Sensitivity）

靈敏度是衡量光刻膠曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量越小。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

2．分辨率（resolution）

區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。

光刻膠的分辨率是一個(gè)綜合指標(biāo)，影響該指標(biāo)的因素通常有如下3個(gè)方面：

(1) 曝光系統(tǒng)的分辨率。

(2) 光刻膠的對比度、膠厚、相對分子質(zhì)量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。

(3) 前烘、曝光、顯影、后烘等工藝都會(huì)影響光刻膠的分辨率。  

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光刻膠定義

光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist，又翻譯為抗蝕劑、光阻等。廣泛應(yīng)用于集成電路(IC)，封裝(Packaging)，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)，光電子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板顯示器(LED,LCD,OLED)，太陽能光伏(Solar PV)等領(lǐng)域。

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