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發(fā)布時(shí)間:2020-12-07 11:27  
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我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報(bào)廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件,廢電子元件回收,廢線路板回收蘇州電子芯片,蘇州回收手機(jī)排線,手機(jī)板回收,廢舊電容器回收,電解電容回收,蘇州電子元器件,蘇州顯示屏回收及綜合利用等。將BGA器件吸起來(lái),BGA器件底部與PCB焊盤完全重合后將吸嘴向下移動(dòng),把BGA器件貼裝到PCB上,然后關(guān)閉真空泵。
在電子電路中,除了接觸多的電子元器件( 例如電阻,電感,電容,二極管,三極管,集成電路等) 以外,還有其他常用電子元器件,如電聲器件,開關(guān)及接插件等。
我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報(bào)廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件,廢電子元件回收,廢線路板回收蘇州電子芯片,蘇州回收手機(jī)排線,手機(jī)板回收,廢舊電容器回收,電解電容回收,蘇州電子元器件,蘇州顯示屏回收及綜合利用等。由于污染所引起的斷路現(xiàn)象,會(huì)產(chǎn)生細(xì)小的焊盤半徑和較大的元器件半徑尺寸,所以可以利用元器件半徑和焊盤半徑的差異來(lái)區(qū)分?jǐn)嗦番F(xiàn)象是否是由于污染引起的。
檢測(cè)方法/電子元器件
電解電容器的檢測(cè)
將萬(wàn)用表紅表筆接負(fù)極,黑表筆接正極,在剛接觸的瞬間,萬(wàn)用表指針即向右偏轉(zhuǎn)較大偏度(對(duì)于同一電阻擋,容量越大,擺幅越大),接著逐漸向左回轉(zhuǎn),直到停在某一位置。此時(shí)的阻值便是電解電容的正向漏電阻,此值略大于反向漏電阻。實(shí)際使用經(jīng)驗(yàn)表明,電解電容的漏電阻一般應(yīng)在幾百kΩ以上,否則,將不能正常工作。在測(cè)試中,若正向、反向均無(wú)充電的現(xiàn)象,即表針不動(dòng),則說(shuō)明容量消失或內(nèi)部斷路;拆下的BGA器件一般情況可以重復(fù)使用,但必須進(jìn)行植球處理后才能使用。如果所測(cè)阻值很小或?yàn)榱悖f(shuō)明電容漏電大或已擊穿損壞,不能再使用。
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在當(dāng)今信息時(shí)代,隨著電子工業(yè)的迅猛發(fā)展,計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話等產(chǎn)品日益普及。人們對(duì)電子產(chǎn)品的BGA封裝功能要求越來(lái)越多、對(duì)性能要求越來(lái)越強(qiáng),而體積要求卻越來(lái)越小、重量要求越來(lái)越輕。這就促使電子產(chǎn)品向多功能、和小型化、輕型化方向發(fā)展。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),IC芯片的特征尺寸就要越來(lái)越小,復(fù)雜程度不斷增加,于是,電路的I/O數(shù)就會(huì)越來(lái)越多,封裝的I/O密度就會(huì)不斷增加。為了適應(yīng)這一發(fā)展要求,一些先進(jìn)的高密度封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,BGA封裝技術(shù)就是其中之一。究其原因主要是BGA器件焊接點(diǎn)的測(cè)試相當(dāng)困難,不容易保證其質(zhì)量和可靠性。
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僅有橫截面X射線檢測(cè)技術(shù),例如:X射線分層法,能夠克服上述條件的制約。橫截面X射線檢測(cè)技術(shù)具有能夠查出隱藏的焊接點(diǎn)缺陷的能力,通過(guò)對(duì)焊盤層焊接點(diǎn)的聚焦,能夠揭示出BGA焊接點(diǎn)的連接情況。在同樣的情況下,采用X射線設(shè)各所獲得的圖像中,實(shí)際情況可能被隱藏掉了,從而不能夠反映出真實(shí)的情況。但是,到目前為止,該技術(shù)僅限于高密度、高性能器件的封裝,而且該技術(shù)仍朝著細(xì)節(jié)距、高I/O端數(shù)方向發(fā)展。
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