磁控濺射鍍膜設(shè)備及技術(shù)

（專利技術(shù)）該設(shè)備選用磁控濺射鍍一層薄薄的膜（MSP）技術(shù)性，是這種智能、率的鍍膜設(shè)備。可依據(jù)客戶規(guī)定配備轉(zhuǎn)動(dòng)磁控靶、單脈沖濺射靶、中頻孿生濺射靶、非均衡磁控濺射靶、霍耳等離子技術(shù)源、考夫曼離子源、直流電單脈沖累加式偏壓開關(guān)電源等，組態(tài)靈便、主要用途普遍，主要用于金屬材料或非金屬材料（塑膠、夾層玻璃、瓷器等）的鋼件鍍鋁、銅、鉻、鈦金板、銀及不銹鋼板等陶瓷膜或式陶瓷膜及滲金屬材料DLC膜，所鍍一層薄薄的膜層勻稱、高密度、粘合力強(qiáng)等特性，可普遍用以電器產(chǎn)品、時(shí)鐘、陶瓷藝術(shù)品、小玩具、大燈反光罩及其儀表設(shè)備等表層裝飾藝術(shù)鍍一層薄薄的膜及工磨具的作用鍍層。直流磁控濺射技術(shù)為了解決陰極濺射的缺陷，人們?cè)?0世紀(jì)開發(fā)出了直流磁控濺射技術(shù)，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點(diǎn)，因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。2離子轟擊滲擴(kuò)技術(shù)性的特性(1)離子轟擊滲擴(kuò)更快因?yàn)檫x用低溫等離子無(wú)心插柳，為滲劑分子和正離子的吸咐和滲人造就了高寬比活性的表層，提升了結(jié)晶中缺點(diǎn)的相對(duì)密度，比傳統(tǒng)式的汽體滲擴(kuò)技術(shù)性速率明顯增強(qiáng)。在一樣加工工藝標(biāo)準(zhǔn)下，滲層深度1在0.05二以內(nèi)，比汽體滲擴(kuò)提升1倍。在較高溫度下，1h就能達(dá)lmm厚。(2)對(duì)鋼件表層改..

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磁控濺射鍍膜機(jī)

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ITO 薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn 合金靶、In2O3-SnO2 陶瓷靶兩類。在用合金靶制備ITO 薄膜時(shí),由于濺射過(guò)程中作為反應(yīng)氣體的氧會(huì)和靶發(fā)生很強(qiáng)的電化學(xué)反應(yīng),靶面覆蓋一層化合物,使濺射蝕損區(qū)域縮得很小(俗稱“靶zhong毒”) ,以至很難用直流濺射的方法穩(wěn)定地制備出的ITO 膜。磁控濺射設(shè)備的主要用途（1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。也就是說(shuō),采用合金靶磁控濺射時(shí),工藝參數(shù)的窗口很窄且極不穩(wěn)定。陶瓷靶因能抑制濺射過(guò)程中氧的選擇性濺射,能穩(wěn)定地將金屬銦和錫與氧的反應(yīng)物按所需的化學(xué)配比穩(wěn)定地成膜,故無(wú)zhong毒現(xiàn)象,工藝窗口寬,穩(wěn)定性好。但這不等于說(shuō)陶瓷靶解決了所有的問(wèn)題,其薄膜光電性能仍然受制于基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數(shù)的影響,不同工藝制備出的ITO 薄膜的光電性能相差甚遠(yuǎn)。因此,開展ITO陶瓷靶磁控濺射工藝參數(shù)的優(yōu)化研究很有意義。

磁控濺射

磁控濺射靶材的利用率可成為磁控濺射源的工程設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝成本核算的一個(gè)參數(shù)。目前沒有見到對(duì)磁控濺射靶材利用率專門或系統(tǒng)研究的報(bào)道，而從理論上對(duì)磁控濺射靶材利用率近似計(jì)算的探討具有實(shí)際意義。本文重點(diǎn)探討了磁控濺射在光學(xué)鍍膜中的應(yīng)用，包括膜層設(shè)計(jì)和鍍膜工藝。對(duì)于靜態(tài)直冷矩形平面靶，即靶材與磁體之間無(wú)相對(duì)運(yùn)動(dòng)且靶材直接與冷卻水接觸的靶，?靶材利用率數(shù)據(jù)多在20%~30%左右(間冷靶相對(duì)要高一些，但其被刻蝕過(guò)程與直冷靶相同，不作專門討論)，且多為估計(jì)值。為了提高靶材利用率，研究出來(lái)了不同形式的動(dòng)態(tài)靶，其中以旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)圓柱靶工業(yè)上被廣泛應(yīng)用，據(jù)稱這種靶材的利用率可超過(guò)70%，但缺少足夠數(shù)據(jù)或理論證明。常見的磁控濺射靶材從幾何形狀上看有三種類型：矩形平面、圓形平面和圓柱管? 如何提高利用率是真空磁控濺射鍍膜行業(yè)的重點(diǎn),圓柱管靶利用高,但在有些產(chǎn)業(yè)是不適用的,如何提高靶材利用,請(qǐng)到此一看的朋友,在下面留下你的見解,提供好的方法。

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磁控濺射鍍膜機(jī)工藝

（1）技術(shù)方案 磁控濺射鍍光學(xué)膜，有以下三種技術(shù)路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時(shí)候?yàn)榱说玫礁叩哪蛹兌?，也需要通入一定量反?yīng)氣體）； （b）反應(yīng)濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應(yīng)氣體的混合氣體，進(jìn)行濺射沉積各種化合物膜層。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應(yīng)氣體離子源，將膜層進(jìn)行氧化或者氮化等。想要了解更多磁控濺射鍍膜機(jī)的相關(guān)內(nèi)容，請(qǐng)及時(shí)關(guān)注創(chuàng)世威納網(wǎng)站。 采用以上三種技術(shù)方案，在濺射沉積光學(xué)膜時(shí)，都會(huì)存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導(dǎo)致膜層沉積速度非常慢，對(duì)于上節(jié)介紹各種光學(xué)膜來(lái)說(shuō)，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達(dá)數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學(xué)上的應(yīng)用。

（2）新型反應(yīng)濺射技術(shù) 筆者對(duì)現(xiàn)有反應(yīng)濺射技術(shù)方案進(jìn)行了改進(jìn)，開發(fā)出新的反應(yīng)濺射技術(shù)，解決了鍍膜沉積速度問(wèn)題，同時(shí)膜層的純度達(dá)到光學(xué)級(jí)別要求。表2.1是采用新型反應(yīng)濺射沉積技術(shù)，膜層沉積速度對(duì)比情況。

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