如果要在半導體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用：

利用低壓化學氣相沉積技術(shù)在相對較高的溫度下利用垂直或水平管式爐進行。

等離子體增強化學氣相沉積技術(shù)在溫度相對較低的真空條件下進行。

氮化硅的晶胞參數(shù)與單質(zhì)硅不同。因此根據(jù)沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會有產(chǎn)生張力或應力。特別是當使用等離子體增強化學氣相沉積技術(shù)時，能通過調(diào)節(jié)沉積參數(shù)來減少張力。

先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅，然后同時利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細碳粒子的硅膠進行處理后得到氮化硅納米線。硅膠中的特細碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解產(chǎn)生的。

氮化硅與水幾乎不發(fā)生作用；在濃強酸溶液中緩慢水解生成銨鹽和二氧化硅；易溶于，與稀酸不起作用。濃強堿溶液能緩慢腐蝕氮化硅，熔融的強堿能很快使氮化硅轉(zhuǎn)變?yōu)楣杷猁}和氨。1、氮化硅結(jié)合碳化硅制品，質(zhì)地堅硬，莫氏硬度約為9，在非金屬材料中屬于硬度材料，僅次于金剛石。氮化硅在 600℃以上能使過渡金屬（見過渡元素）氧化物、氧化鉛、氧化鋅和二等還原,并放出氧化氮和二氧化氮。1285℃ 時氮化硅與二氮化三鈣Ca3N2發(fā)生以下反應：

Ca3N2 Si3N4─→3CaSiN2

氮化硅的制法有以下幾種： 在1300～1400℃時將粉狀硅與氮氣反應； 在1500℃時將純硅與氨作用；

在含少量氫氣的氮氣中灼燒二氧化硅和碳的混合物;將SiCl4的氨解產(chǎn)物Si(NH2)4完全熱分解。氮化硅可用作催化劑載體、耐高溫材料、涂層和磨料等。

氮化硅陶瓷具有高強度、耐高溫的特點，在陶瓷材料中其綜合力學，耐熱震性能、性能、耐磨損性能、耐蝕性能好，是熱機部件用陶瓷的候選材料。在機械工業(yè)，氮化硅陶瓷用作軸承滾珠、滾柱、滾球座圈、工模具、新型具、泵柱塞、心軸 密封材料等。