三、華科智源IGBT測(cè)試儀系統(tǒng)特征： A：測(cè)量多種IGBT、MOS管 B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測(cè)試范圍廣；型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，。 C：脈沖寬度 50uS~300uS D：Vce測(cè)量精度2mV E：Vce測(cè)量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面 G：智能保護(hù)被測(cè)量器件 H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能 I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降 J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù) K: 生成測(cè)試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位） L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比，觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比；

為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？

當(dāng)功率元件老化時(shí)，元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)必定會(huì)加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。長(zhǎng)期使用后若溫升過高時(shí)，會(huì)使元件在關(guān)閉時(shí)的漏電流急遽升高。1開通：turnon(tdon,tr,di/dt,Ipeak,Eon,Pon)。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進(jìn)而使半導(dǎo)體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當(dāng)元件損毀時(shí)，會(huì)連帶將其驅(qū)動(dòng)電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。

安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感

?電感量 1mH 、10mH、50mH、100mH

?電流 通過選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）

?瞬態(tài)電壓 大于10kV

?負(fù)載電感 配備自動(dòng)切換開關(guān)，可分別接通不同電感值，由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通；自動(dòng)切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。

5）補(bǔ)充充電回路限流電感

限制充電回路中的di/dt。

?電感量 100μH

?電流能力 6000A （5ms）

?瞬時(shí)耐壓 10kV

?工作溫度室溫～40℃

?工作濕度 <70%

4驗(yàn)收和測(cè)試 1)驗(yàn)收由雙方共同參加，按照技術(shù)規(guī)范書的技術(shù)要求逐項(xiàng)完成所有測(cè)試項(xiàng)，檢驗(yàn)單元是否功能齊全、模塊完整、正常運(yùn)行。由賣方現(xiàn)場(chǎng)安裝、測(cè)試，買方確認(rèn)測(cè)試合格通過后完成驗(yàn)收。 2)賣方負(fù)責(zé)組織和實(shí)施整個(gè)單元的組裝、調(diào)試、系統(tǒng)集成工作；負(fù)責(zé)免費(fèi)培訓(xùn)并提供培訓(xùn)教材。培訓(xùn)后，應(yīng)能達(dá)到用戶能基本完全獨(dú)立熟練操作單元進(jìn)行功率半導(dǎo)體性能測(cè)試，并能解決實(shí)際工程問題。培訓(xùn)后，應(yīng)能達(dá)到用戶能基本完全獨(dú)立熟練操作單元進(jìn)行功率半導(dǎo)體性能測(cè)試，并能解決實(shí)際工程問題。