模塊電源做老化測(cè)試的原因

模組供電的脆化方法主要有常溫加載脆化和高溫插電式高低溫測(cè)試兩種，其中高溫加載脆化很為常見(jiàn)。針對(duì)商品部件的高溫脆化問(wèn)題，可將其缺陷或質(zhì)量缺陷曝露出來(lái)，從而提高商品的可靠性和可靠性。

模組電源的高溫脆性是模擬商品在自然環(huán)境中高溫應(yīng)用的自然環(huán)境，高低溫試驗(yàn)時(shí)間一般為12-48小時(shí)。溫度脆化有兩種方式，一種是自然高溫環(huán)境下設(shè)置，另一種是插入脆化。這是在高溫自然環(huán)境中，使用自然環(huán)境中更為極端的標(biāo)準(zhǔn)沖擊性模塊供電。

開(kāi)關(guān)電源與變壓器的比較?

開(kāi)關(guān)電源與變壓器的比較

眾所周知，我們的生活和工業(yè)生產(chǎn)都需要用電，而我們所用的電需要從電站的高壓電轉(zhuǎn)變而來(lái)，我們?cè)谏钪薪?jīng)常把高壓電源轉(zhuǎn)變成低壓電源的是變壓器。但除普通變壓器電源外，還有更高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源可供選擇。

與變壓器電源相比，其體積要小得多。

變壓器應(yīng)將高壓電轉(zhuǎn)換成低壓電，電源應(yīng)通過(guò)磁鐵和變壓線圈轉(zhuǎn)換。一般變壓器都是100公斤。它的體積可想而知。開(kāi)關(guān)電源通過(guò)晶體管的開(kāi)關(guān)功能將高壓電源轉(zhuǎn)換成低壓電源。晶體管可以做得很小。因此，與變壓器電源相比，這種電源的體積可以與大象相比較。

電路板上的元件容易被靜電l擊穿方式

電路板上的元件容易被靜電l擊穿方式

靜電l擊穿分析。

一種ESD敏感裝置，MOS管本身的輸入電阻很大，而且柵源極間電容非常小，因此極易受到外部電磁場(chǎng)或靜電的影響而帶電(極間電容上有少量電荷可形成較高的電壓(如U=Q/C)使管子受損)，又由于在靜電較強(qiáng)的情況下不易放出電荷，容易造成靜電l擊穿。

靜電l擊穿有兩種方式：

一是電壓型，即柵極的薄氧化層被擊穿，導(dǎo)致柵極與源極之間或柵極與漏極之間發(fā)生短路；

二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，導(dǎo)致柵極與源極之間或柵極之間發(fā)生短路。和MOS管一樣，JFET管也有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻較高。

反偏型pn結(jié)比正偏型pn結(jié)更易發(fā)生熱失效，反偏型pn結(jié)破壞所需能量?jī)H為正偏型pn結(jié)的十分之一。因?yàn)榉雌珪r(shí)，大部分能量消耗在結(jié)區(qū)中心，而正偏時(shí)，則更多地消耗在結(jié)區(qū)外的體阻。對(duì)雙極器件而言，發(fā)射結(jié)的面積一般都小于其他結(jié)，并且其結(jié)面與表面的距離較近，因此，往往可以看到發(fā)射結(jié)的退化現(xiàn)象。另外，擊穿電壓大于100V或漏泄電流小于1nA(如JFET的柵結(jié))的pn結(jié)比相同尺寸的普通pn結(jié)對(duì)靜電放電更敏感。

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源與線性穩(wěn)壓電源的區(qū)別?

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源與線性穩(wěn)壓電源的區(qū)別

1、頻變壓器，大大減輕了供電負(fù)荷。功率工作頻率較高，濾波電容、電感可用數(shù)值較小的元件，也可使體積減小，重量減輕。

2、安全和可靠?？煞奖愕卦O(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源的自動(dòng)保護(hù)電路。線路故障或短路時(shí)，可自動(dòng)切斷電源，防止擴(kuò)大故障范圍。

目前開(kāi)關(guān)電源存在電路復(fù)雜、輸出絞波電壓高、瞬態(tài)響應(yīng)差等問(wèn)題。當(dāng)前，世界各l國(guó)都在大力發(fā)展新型開(kāi)關(guān)電源，以滿足各種電子設(shè)備小型化、高l效化等發(fā)展需求。