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發(fā)布時(shí)間:2020-12-01 09:45  

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視頻作者:蘇州振鑫焱光伏科技有限公司






地方城市政策

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購置:天價(jià)回收硅片,電池片,初中級(jí)多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽電池,太陽能組件,太陽能光伏板,顧客撤離,退級(jí),庫存量,El,欠佳檢測(cè),2手,舊,工程項(xiàng)目,拆裝,道路路燈,拆卸發(fā)電廠,拆裝,人造板,層壓板,無界限結(jié)晶硅,多晶硅,單晶硅,試驗(yàn)板,負(fù)債還款,返修,太陽能發(fā)電控制模塊收購等。

地區(qū)大城市現(xiàn)行政策 

除開國家鋰電池回收現(xiàn)行政策之外,當(dāng)?shù)卣畷?huì)依據(jù)當(dāng)?shù)氐男履茉窜囍圃煨袠I(yè)、鋰離子電池動(dòng)力鋰電池發(fā)展趨勢(shì)現(xiàn)況,填補(bǔ)有關(guān)的地區(qū)性法律法規(guī),下列以大城市北京市、上海市、廣州市、深圳市為例。

①2016年1月,北京市舉行《小車有形化銷售市場(chǎng)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)社區(qū)論壇》,大會(huì)上明確指出:新能源汽車企是驅(qū)動(dòng)力鋰電池回收的首位義務(wù)行為主體;退伍的動(dòng)力鋰電池可專業(yè)化運(yùn)用;必須創(chuàng)新技術(shù)性使廢舊電池回收使用率超過99%。 

②2014年5月,上海發(fā)布的《上海激勵(lì)選購和應(yīng)用新能源車暫行規(guī)定》對(duì)于小車生產(chǎn)制造生產(chǎn)商,每收購一整套新能源車動(dòng)力鋰電池,給與1000元補(bǔ)貼。此方法于2016年3月給予再度修定,確立充電電池新能源車生產(chǎn)制造生產(chǎn)商應(yīng)擔(dān)負(fù)新能源車廢棄驅(qū)動(dòng)力鋰電池回收的監(jiān)督責(zé)任,具有與市場(chǎng)銷售的新能源車總產(chǎn)量經(jīng)營規(guī)模相符合的鋰電池回收、運(yùn)用和處理工作能力。 

③2014年11月,廣州市下發(fā)《廣州新能源車應(yīng)用推廣管理方法暫行規(guī)定》明確提出:在廣州搭建車配驅(qū)動(dòng)力鋰電池回收管理體系,有關(guān)公司要遞交鋰電池回收服務(wù)承諾表。 

④2016年9月,深圳市公布《深圳2016年新能源車應(yīng)用推廣財(cái)政局適用現(xiàn)行政策》通告,規(guī)定新能源車制造業(yè)企業(yè)應(yīng)承擔(dān)綜合利用,對(duì)記提了驅(qū)動(dòng)力鋰電池回收解決資產(chǎn)的公司,按經(jīng)財(cái)務(wù)審計(jì)明確的額度50%對(duì)公司給與補(bǔ)助,重點(diǎn)用以驅(qū)動(dòng)力鋰電池回收。






電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:高價(jià)回收硅片,電池片,初級(jí)多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽能電池,光伏組件,太陽能電池板,客戶撤退,降級(jí),庫存,El,不良測(cè)試,二手,舊,工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實(shí)驗(yàn)板,債務(wù)償還,返工,光伏模塊回收等。

影響因素

1 .頻率

射頻 PECVD 系統(tǒng)大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率( >4MHz )沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。

2 .射頻功率

增加 RF 功率通常會(huì)改善 SiN 膜的質(zhì)量。但是,功率密度不宜過大,超過 1W/cm2 時(shí)器件會(huì)造成嚴(yán)重的射頻損傷。

3 .襯底溫度

PECVD 膜的沉積溫度一般為 250 ~ 400 ℃ 。這樣能保證氮化硅薄膜在HF 中有足夠低的腐蝕速率,并有較低的本征壓力,從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜,本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力,而溫度高于 450 ℃ 時(shí)膜容易龜裂。

4 .氣體流量

影響氮化硅膜沉積速率的主要?dú)怏w是 SiH4 。為了防止富硅膜,選擇NH3/SiH4=2~20 (體積比)。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率,通常采用較大的氣體總流量,以保證沉積的均勻性。

5 .反應(yīng)氣體濃度

SiH4 的百分比濃度及 SiH4/NH3 流量比,對(duì)沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。

理想 Si3N4 的 Si/N = 0.75 ,而 PECVD 沉積的氮化硅的化學(xué)計(jì)量比會(huì)隨工藝不同而變化,但多為富硅膜,可寫成 SiN 。因此,必須控制氣體中的 SiH4 濃度,不宜過高,并采用較高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外, PECVD 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子,即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 .反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。







電池片常見異常情況處理方法

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二、 翹曲:

1、 硅片太?。嚎刂圃脊杵穸龋?

2、 印刷鋁漿太厚:控制鋁漿增重量;

3、 燒結(jié)溫度過高:調(diào)整燒結(jié)爐4、5、6、7區(qū)溫度;

4、 燒結(jié)爐冷卻區(qū)冷卻效果不好:查看風(fēng)扇狀況、進(jìn)出水溫度壓力等

三、 鋁包:

1、 燒結(jié)溫度太高:調(diào)整燒結(jié)爐4、5、6、7區(qū)溫度;

2、 印刷鋁漿太?。涸龃箐X漿的印刷量;

3、 使用前漿料攪拌不充分:攪拌時(shí)間必須達(dá)到規(guī)定時(shí)間;

4、 鋁漿印刷后烘干時(shí)間不夠:增加烘干時(shí)間或提高烘干溫度;

5、 燒結(jié)排風(fēng)太小:增大燒結(jié)爐排風(fēng);

6、 燒結(jié)爐冷卻區(qū)冷卻區(qū)冷卻效果不好:查看風(fēng)扇狀況、進(jìn)出水溫度壓力等;