測試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導）、rCE（導通電阻）等全直流參數(shù), 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內重復測試精度。IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)技術要求1、設備概述該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試。

半導體元件全自動測試系統(tǒng)，可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測量重要參數(shù)的數(shù)據，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。關斷時間測試參數(shù)： 1、關斷時間toff：5～2000ns±3%±3ns 2、關斷延遲時間td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降時間tf：5～2000ns±3%±3ns 4、關斷能量：0。每個電流模塊，都具有獨立的供電系統(tǒng)，以便在測試時，提供內部電路及電池組充電之用； 可選購外部高壓模塊，執(zhí)行關閉狀態(tài)參數(shù)測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。

參數(shù)名稱 符號 參數(shù)名稱 符號

開通延遲時間 td(on) 關斷延遲時間 td(off)

上升時間 tr 下降時間 tf

開通時間 ton 關斷時間 toff

開通損耗 Eon 關斷損耗 Eoff

柵極電荷 Qg

短路電流 ISC / /

可測量的FRD動態(tài)參數(shù)

反向恢復電流 IRM 反向恢復電荷 Qrr

反向恢復時間 trr 反向恢復損耗 Erec

主要參數(shù) 測試范圍 精度要求 測試條件

Vce

集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開通/關斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開通/關斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

11）動態(tài)測試續(xù)流二極管

用于防止測試過程中的過電壓。

?壓降小于1V

?浪涌電流大于20kA

?反向恢復時間小于2μs

?工作溫度 室溫～40℃

?工作濕度 <70%

12）安全工作區(qū)測試續(xù)流二極管

?浪涌電流 大于20kA

?反向恢復時間 小于2μS

?工作濕度 <70%

13）被測器件旁路開關

被測安全接地開關，設備不運行時，被測接地。

?電流能力 DC 50A

?隔離耐壓 15kV

?響應時間 150ms

?工作方式 氣動控制

?工作氣壓 0.4MPa

?工作濕度 <70%