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發(fā)布時間:2021-05-10 03:54  

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水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理清洗原理

水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理的表面帶有負電荷(ζ電位),但它們不會彼此聚結(jié),并且會在水中擴散和漂浮。另一方面,油漬通常帶正電,并與帶負電的產(chǎn)品和零件電氣耦合。帶負電荷的水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理通過吸附帶正電荷的油而被電中和,從而易于從零件上分離出油漬。盡管普通氣泡(例如毫氣泡和百分數(shù)氣泡)具有這些效果,但我們的清潔設(shè)備會產(chǎn)生許多水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理,這會增加帶電氣泡的總表面積,并且這種效果將增加。




已經(jīng)被電中和并與待清潔物體分離的油漬緩慢地吸附到水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理的表面(氣-液界面),并由于氣泡的浮力而緩慢地漂浮到水的表面。不會粘附在污垢上的水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理會增加浮力,并通過粘附在水中漂浮的大量油和微小的異物而漂浮到水的表面。它可以防止其粘附。



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水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理壓壞時產(chǎn)生的射流對半導(dǎo)體襯底研磨的影響

分子動力學(xué)模擬水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理壓壞時產(chǎn)生的射流對半導(dǎo)體襯底研磨的影響

隨著功率半導(dǎo)體器件的需求增加,要求CMP提高SiC、GaN等高硬度半導(dǎo)體基板的研磨速度。我們考慮了水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理壓壞時產(chǎn)生的射流的利用。由于射流具有比沖擊波更強的沖擊力,因此通過使噴氣式流與基板碰撞,可以期待研磨速度的提高。因此,在本演講中,我們報告了利用分子動力學(xué)計算分析了水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理射流對SiC半導(dǎo)體襯底的影響的結(jié)果。






水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理上升速度慢

水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理的浮游、上升速度當(dāng)用高速攝像機拍攝并測量產(chǎn)生的水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理的浮起速度時,如圖2所示,在10μm大小的泡沫中約0.1mm/sec變得非常緩慢。假設(shè)在沒有水流的3m深的水槽里存在水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理從水槽底部到水面,需要8小時18分鐘浮上水面。氣泡上升速度與氣泡滯留時間有很大關(guān)系,通過該實驗得到的結(jié)果是水中水產(chǎn)增氧用微納米氣泡發(fā)生器技術(shù)原理的效果長時間證明可以持續(xù)