蝕刻標牌

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金屬標牌蝕刻突破瓶頸的新模式

　金屬標牌蝕刻是一種全新的蝕刻工藝，標牌顧名思義大家都知道是什么，金屬標牌所選用的材料一般為鋁、銅、不銹鋼板。標牌的圖紋腐蝕深度要求達到0．6mm左右，而且腐蝕部分不能太光亮，與基體板材形成對比反差，使具有一定的金屬質(zhì)感和裝飾藝術(shù)感。而鋁所選用的鋁版一般為拉絲鋁板，擁有精致的線條紋路，使印刷出來的鋁牌顯得十分的精巧、美觀。而輕，柔，美就是鋁牌的特點。這種鋁表面還有一層保護膜保護好鋁牌不被刮花。蝕刻就是在它的上面進行加工，一起來看看金屬標牌蝕刻突破瓶頸的模式吧！

突破性的蝕刻技術(shù)實現(xiàn)原子級的蝕刻精準性，從而推動摩爾定律發(fā)展；隨著芯片結(jié)構(gòu)日益精細，選擇性工藝可在不損傷芯片的前提下清除不需要的材料；該系統(tǒng)已獲得芯片制造商青睞，用于生產(chǎn)先進FinFET和存儲芯片生產(chǎn)先進芯片的一個重要壁壘是在一個多層結(jié)構(gòu)芯片中有選擇性地清除某一特定材料，而不破壞其他材料是我們在蝕刻領(lǐng)域中的又一大創(chuàng)新，豐富了我們的差異化產(chǎn)品線，通過實現(xiàn)選擇性清除工藝，推動了摩爾定律發(fā)展，創(chuàng)造了新的市場機遇。對于加熱固化型的涂料，還需要用熱吹風機對修補部分局部固化，以便與整體涂層一致。

隨著先進微型芯片的結(jié)構(gòu)日益復雜，其深而窄的溝槽為芯片制造帶來了全新的挑戰(zhàn)，例如濕性化學成分無法穿透微小結(jié)構(gòu)，或是無法在不損傷芯片的前提下清除不需要的物質(zhì)。減少污染的問題銅對水的污染是印制電路生產(chǎn)中普遍存在的問題﹐而氨堿蝕刻液的使用更加重了這個問題。Selectra系統(tǒng)的革命性工藝可進入極狹小的空間，從而實現(xiàn)的選擇性材料清除和原子級的蝕刻精準性，適用于各類電介質(zhì)、金屬和半導體薄膜。其廣泛的工藝范圍以及控制無殘留物和無損傷材料清除的能力，顯著擴大了蝕刻技術(shù)的應用范圍，可用于圖案化、邏輯、代工、3DNAND及DRAM等關(guān)鍵蝕刻應用。憑借Selectra系統(tǒng)的豐富功能，芯片制造商能夠生產(chǎn)出先進的3D設備，并探索新的芯片結(jié)構(gòu)、材料和集成技術(shù)。

化學蝕刻（Chemical etching）-- 氣態(tài)物質(zhì)（中性原子團）與表面反應， 產(chǎn)物必定易揮發(fā)，也稱為等離子蝕刻。 等離子增強蝕刻(Ion-enhanced etching)—單獨使用中性原子團不能形成易揮發(fā)產(chǎn)物，具有一定 能量的離子改變襯底或產(chǎn)物；具有一定能量的離子改變襯底或產(chǎn)物層，這樣，化學反應以后 能生成揮發(fā)性物質(zhì)，亦稱為反應離子蝕刻（RIE） 。為了生產(chǎn)獲利，最快的渠道是花點錢到擁有成熟技術(shù)的地方學習現(xiàn)成技術(shù)，學了就能用起來。 濺射蝕刻（Sputter etching）--具有一定能量的離子機械的濺射襯底材料。 蝕刻速率（Etch rate）--材料的剝離速率，通常以?/min，?/sec，nm/min, um/min 為單位計 量。 各向同性蝕刻（ Isotropic etch）-- 蝕刻速率在所有方向都是相同的。

六、酸/堿體積比的檢驗方法： 開機運行到設定溫度后(約 15~20 分鐘),測試酸液及堿液的體積比,在規(guī)定范圍內(nèi)方可進行生產(chǎn)。(三)制作工藝條件及具體操作1．除油脫脂不銹鋼板表面由于加工、運輸或儲存的原因，遺留有不同程度的油污，必須要徹底清除，否則會直接影響保護涂層與板材表面的結(jié)合力。 1．酸液 1）新配酸液和使用過的酸液的測定 a.將酸液稀釋 用吸量管吸取 10ml 酸液，放入 100ml 容量瓶中，然后加入純水至刻度處，蓋好玻璃塞，搖勻備用； b.測定酸液當量體積 用吸量管吸取 10ml“a”之稀釋液，放入錐瓶中，加入純水 30ml 搖勻，再加入酚酞指示劑 1~3 滴并記下錐瓶 內(nèi)溶液的體積為 V1，再?。∟aOH）標準溶液倒入滴管內(nèi)一般以 50ml 為基準，然后緩慢滴入錐瓶中， 滴至粉紅色后搖勻一分鐘后不褪色為終點，計下此時錐瓶內(nèi)的數(shù)據(jù)為 V2，根據(jù)以下公式計算出溶液的體積