碳化硅作為一種罕見(jiàn)的礦物質(zhì)，為了滿足市場(chǎng)需求，主要是靠工業(yè)生產(chǎn)。而冶煉碳化硅也并不復(fù)雜，就是將石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑按照比例進(jìn)行配制，再將其投放到電阻爐內(nèi)高溫冶煉。而工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅主要分為兩種，黑碳化硅與綠碳化硅。黑碳化硅是以石英砂、石油焦和好的硅石為主要原料，通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。綠碳化硅是以石油焦和好的硅石為主要原料，添加鹽作為添加劑，通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。其實(shí)，無(wú)論選擇哪種走法，我們的目的是有利于傳熱、減少壓力、對(duì)材料損耗小、使用安全、維修便捷等。

　　而黑碳化硅與綠碳化硅不僅是顏色上有區(qū)別，其它方面也有不同。綠碳化硅含SiC 97%以上，主要用于磨硬質(zhì)含金工具。黑碳化硅，有金屬光澤，含SiC 95%以上，強(qiáng)度比綠碳化硅大，但硬度較低，主要用于磨鑄鐵和非金屬材料。純碳化硅是無(wú)色透明的晶體。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的α-SiC和立方體的β-SiC(稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。增加碳化硅換熱器的傳熱系數(shù)只能提高板材兩側(cè)和冷熱側(cè)的表面?zhèn)鳠嵯禂?shù),降低污垢層的熱阻,選擇導(dǎo)熱系數(shù)高的板材。

碳化硅與電力系統(tǒng)的發(fā)展

當(dāng)前電力系統(tǒng)發(fā)展十分迅速，新型電力電子器件不斷涌現(xiàn)，性能大幅度的提升，有效的保證了電力系統(tǒng)工作和運(yùn)行的穩(wěn)定性和性。電力電子器件起初是以晶體管起步的。在上世紀(jì)70年代后期全控型器件不斷發(fā)展，在80年代后半個(gè)時(shí)期IGBT復(fù)合器件被研發(fā)出來(lái)。鉻酸鹽-鋅--水解的聚烯酰胺：由于陽(yáng)離子型共聚物水解的聚丙酰胺的分散作用，能夠防止水垢成污垢的產(chǎn)生。隨著半導(dǎo)體技術(shù)和材料科學(xué)的持續(xù)發(fā)展，功率集成電路在電力系統(tǒng)中的到了廣泛的應(yīng)用

電力電子器件能夠?qū)⑷匦偷碾娮悠骷推渌δ茈娐啡珧?qū)動(dòng)電路以及控制電路等集成形成智能化程度較高的芯片，實(shí)現(xiàn)器件與電路的集成，強(qiáng)電能夠與弱點(diǎn)集成，信息流和功率流的集成。集成電路是機(jī)電一體化的基礎(chǔ)單元，電力電子器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用是電力技術(shù)較為重要的部分。其應(yīng)用技術(shù)可稱變流技術(shù)，這種技術(shù)主要用器件組成各種功能的電力電子電路并能夠?qū)δ茈娐愤M(jìn)行準(zhǔn)確、的控制。當(dāng)前碳化硅電力電子器件在電力系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用，其優(yōu)良的性能和特性促使這種器件的種類和應(yīng)用范圍都在不斷擴(kuò)大。但由于碳化硅換熱器核心部件技術(shù)長(zhǎng)期受到國(guó)外企業(yè)壟斷和封，不僅價(jià)格高，交貨期長(zhǎng)，而且在使用上受到種種限制，國(guó)內(nèi)對(duì)自主研發(fā)該項(xiàng)技術(shù)的需求越來(lái)越迫切。

如何提高換熱器的換熱效率技巧

首先我們種方法：可以提高板片表面的轉(zhuǎn)熱系數(shù)，因?yàn)榘迨降膿Q熱器的波紋設(shè)計(jì)能使流體在較小的流速

下產(chǎn)生雷諾數(shù)，所以可以獲得較高的表面轉(zhuǎn)熱系數(shù)，我們可以得出表面的轉(zhuǎn)熱系數(shù)與波紋的幾何結(jié)構(gòu)的流動(dòng)狀態(tài)有關(guān)。

第二：可以減少污垢層的熱阻，這個(gè)問(wèn)題的關(guān)鍵就是不讓換熱器的板片結(jié)垢，因此我們要監(jiān)控板片冷熱兩側(cè)的水質(zhì)，防止

結(jié)垢，并且還要保證水當(dāng)中的雜質(zhì)覆蓋到板片上面。

第三：我們可以選用熱導(dǎo)率高的板片，板片的材質(zhì)可以選擇不銹鋼，鈦合金，銅合金，其中不銹鋼的導(dǎo)熱性能是當(dāng)中好的。