化學氣相沉積的特點

化學氣相沉積法之所以得到發(fā)展，是和它本身的特點分不開的，其特點如下。

I) 沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。

2) CVD反應在常壓或低真空進行，鍍膜的繞射性好，對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆。

3) 能得到純度高、致密性好、殘余應力小、結(jié)晶良好的薄膜鍍層。由于反應氣體、反應產(chǎn)物和基體的相互擴散，可以得到附著力好的膜層，這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。

4) 由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多，由此可以得到純度高、結(jié)晶完全的膜層，這是有些半導體膜層所必須的。

5) 利用調(diào)節(jié)沉積的參數(shù)，可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結(jié)構(gòu)和晶粒度等。

6) 設備簡單、操作維修方便。

7) 反應溫度太高，一般要850~ 1100℃下進行，許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。采用等離子或激光輔助技術可以降低沉積溫度。

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等離子體化學氣相沉積

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等離子體化學氣相沉積簡稱PCVD，是一種用等離子體激發(fā)反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態(tài)膜的技術。其原理是利用檢測等離子體中某種反應性化學基團或揮發(fā)性基團所發(fā)射波長的光強的變化來實現(xiàn)終點檢測。等離子體化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應氣體，利用等離子體放電，使反應氣體激發(fā)并實現(xiàn)化學氣相沉積的技術。