雖然設計者可以采用類似銅的辦法解決這個問題，但銅、鋁與芯片、基板嚴重的熱失配，給封裝的熱設計帶來很大困難，影響了它們的廣泛使用。1．2 鎢、鉬Mo的CTE為5．35×10-6K-1，與可伐和Al2O3非常匹配，它的熱導率相當高，為138 W(m-K-1)，故常作為氣密封裝的底座與可伐的側墻焊接在一起，用在很多中、高功率密度的金屬封裝中Cu／W和Cu／Mo為了降低Cu的CTE，可以將銅與CTE數值較小的物質如Mo、W等復合，得到Cu／W及Cu／Mo金屬-金屬復合材料。這些材料具有高的導電、導熱性能，同時融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根據組元相對含量的變化進行調整，可以用作封裝底座、熱沉，還可以用作散熱片。金屬封裝外殼CNC與鋁壓鑄融合便是先鋁壓鑄再運用CNC深度加工。 用作封裝的底座或散熱片時，這種復合材料把熱量帶到下一級時，并不十分有效，但是在散熱方面是極為有效的。這與纖維本身的各向異性有關，纖維取向以及纖維體積分數都會影響復合材料的性能。

不僅包括金屬封裝的殼體或底座、引線使用的金屬材料，也包括可用于各種封裝的基板、熱沉和散熱片的金屬材料，為適應電子封裝發(fā)展的要求，國內開展對金屬基復合材料的研究和使用將是非常重要的。鋁擠、DDG、粗銑內接著將鋁合金板銑成手機機身需要的尺寸，方便CNC精密加工，接著是粗銑內腔，將內腔以及夾具定位的柱加工好，起到精密加工的固定作用。因而用碳纖維(石墨纖維)增強的銅基復合材料在高功率密度應用領域很有吸引力。世界各國常有Al2O3彌散加強無氧運動高導銅商品，如英國SCM金屬制造企業(yè)的Glidcop帶有99．7％的銅和0．3％彌散遍布的Al2O3。與銅復合的材料沿碳纖維長度方向CTE為-0．5×10-6K-1，熱導率600-750W(m-1K-1)，而垂直于碳纖維長度方向的CTE為8×10-6K-1,熱導率為51-59W(m-1K-1)，比沿纖維長度方向的熱導率至少低一個數量級。

密度大也使Cu／W具有對空間輻射總劑量(TID)環(huán)境的優(yōu)良屏蔽作用，因為要獲得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金屬封裝材料及其應用除了Cu／W及Cu／Mo以外，傳統(tǒng)金屬封裝材料都是單一金屬或合金，它們都有某些不足，難以應對現(xiàn)代封裝的發(fā)展?？煞タ煞ズ辖?Fe-29Ni-17Co，中國牌號4J29)的CTE與Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE較為接近，具有良好的焊接性、加工性，能與硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金屬封裝中得到廣泛的使用。但由于其熱導率低，電阻率高，密度也較大，使其廣泛應用受到了很大限制。許多密度低、的金屬基復合材料特別適合航空公司、航空航天主要用途。金屬基復合材料金屬封裝是采用金屬作為殼體或底座，芯片直接或通過基板安裝在外殼或底座上，引線穿過金屬殼體或底座大多采用玻璃—金屬封接技術的一種電子封裝形式。它廣泛用于混合電路的封裝，主要是和定制的專用氣密封裝，在許多領域，尤其是在軍事及航空航天領域得到了廣泛的應用。