透明MgO單晶的熔點高達(dá)2800℃,是無殘留氣孔的高致密性材料。因其光透過率、折射率、熱導(dǎo)率、電絕緣性、化學(xué)穩(wěn)定性、機械強度等方面性能優(yōu)異,具有廣泛的用途。氧化鎂單晶在許多高技術(shù)領(lǐng)域的研究和生產(chǎn)中有著獨特的優(yōu)勢，其中，大尺寸氧化鎂單晶體以及以此為基礎(chǔ)做成的高溫超導(dǎo)基片及雙面膜為參與國際高科技竟?fàn)幍年P(guān)鍵產(chǎn)品。

在高溫超導(dǎo)領(lǐng)域，氧化鎂晶體作為薄膜生長基片和半導(dǎo)體材料的襯底駐基片同其它材料相比(如金剛石、白藍(lán)寶石等)具有明顯的價格優(yōu)勢，且性能良好。氧化鎂的熔點在2800°C以上，沸點為3600°C，所以要想得到大尺寸、高純度的氧化鎂單晶，對原料的選擇和控制要求非常嚴(yán)格。其次，要得到生長好、大尺寸的高質(zhì)量晶體，整個冶煉過程非常耗時耗能，將長達(dá)幾十個小時。

氧化鎂晶體的雙折射特性

可集成太赫茲波帶片和偏振片是重要的太赫茲光學(xué)元器件。由傳統(tǒng)的石英晶體及液晶等材料制作的太赫茲波帶片和偏振片由于其對太赫茲光響應(yīng)度低并難于集成而難以應(yīng)用于太赫茲集成光學(xué)領(lǐng)域。為了尋找用以制備可集成太赫茲偏振元件的材料，本工作應(yīng)用太赫茲焦平面成像方法研究了晶向的氧化鎂晶體對太赫茲波段圓偏振光偏振態(tài)的影響。

 含氧化鎂80%(重量)以上的粗原料用無機酸(硫酸、鹽酸)以摩爾比1:2的比例進(jìn)行溶解,制成無機酸的鎂鹽。氧化鎂的熔點在2800°C以上，沸點為3600°C，所以要想得到大尺寸、高純度的氧化鎂單晶，對原料的選擇和控制要求非常嚴(yán)格。在氧化鎂單晶基片上制造的高溫超導(dǎo)薄膜，其物理性能穩(wěn)定、質(zhì)量優(yōu)越，在眾多高溫超導(dǎo)基片中，大有成為不可取代的選擇。