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發(fā)布時間:2020-11-30 07:03  

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測量示例:

SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測量

半導體晶體管通過控制電流的導通狀態(tài)來發(fā)送信號,但是為了防止電流泄漏和另一個晶體管的電流流過任意路徑,有必要隔離晶體管,埋入絕緣膜。 SiO 2(二氧化硅)或SiN(氮化硅)可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜,而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數(shù)的絕緣膜,或是作為通過CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精準的工藝控制,有必要測量這些膜厚度。



 










考慮到表面粗糙度測量的膜厚值[FE-0007]

當樣品表面存在粗糙度(粗糙度)時,將表面粗糙度和空氣(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模擬為“粗糙層”,可以分析粗糙度和膜厚度。此處示例了測量表面粗糙度為幾nm的SiN(氮化硅)的情況。


 膜厚儀在電氣安全方面按照要求正常使用儀器,就不會對人造成任何危險或損害。膜厚儀包含傳導線電壓的元件,它是按照準則的安全條款設(shè)計的。必須遵循儀器安全條款和準則有關(guān)儀器操作的規(guī)定!  電源連接為避免損壞儀器,供電電壓必須與膜厚儀銘牌上的電壓一致。儀器必須使用三相插頭連到一個已接地的插座上。