稱之為光生電子空穴對(light-generatedelectron-holepairs)。1ev小很多，在室溫超過200度k時即可使所有雜質產生自由電子，同樣在硅中加入少量的三價原子可以提高空穴濃度。電子空穴對的數目越多導電的效果也越好，因為光使得導電效果變好的現(xiàn)象稱之為光導效應(photoconductiveeffect)。自由電子與空穴的多寡對電氣特性有很大的影響，越多的自由電子與空穴可以使導電性增加，同時也可以使輸出電流增加，因此可以推測陽光越強時生成的自由電子與空穴越多，則輸出電流也越大。然而如果只是單純的產生自由電子與空穴，將會因為摩擦及碰撞等因素失去能量，后自由電子會與空穴復合而無法利用。

3、光電三極度管光電三極管的結構與普通三極度管相同,但基區(qū)面積較大,便函于接收更多的入射光線。原理概述被攝景物通過攝像機的光學系統(tǒng)在光電靶上成像，由于光像各點亮度不同，因而使靶面各單元受光照的強度不同。入射光在基區(qū)激發(fā)出電子----空穴時，形成基極電流，而集電極電流是基極電流β倍，因此光照便能有效地控制集電極電流。光電三極管比光電二極管有更高的靈敏度。二、光伏打器件----硅光電池半導體PN結在受到光照射時能產生電動勢的效應，叫光伏打效應。硅光電池就是利用光伏打效應將光能直接換成電能的半導體器件。

只有當光照射pn結時才能使耗盡層內產生載流子(電子-空穴對)，載流子被結內電場加速形成光電流。3、熱載子太陽能電池，提高載子溫度能夠大幅度提高太陽能電池的效率。利用該原理制成的光電二極管稱為耗盡層光電二極管。耗盡層光電二極管有pin層、pn層、金屬-半導體型、異質型等CCD(Charge Coupled Device)即電荷耦合器件，通過輸入面上光電信號逐點的轉換、儲存和傳輸，在其輸出端產生一時序信號。隨著科技的進步，CCD技術日臻完善，已廣泛用于安全防范、電視、工業(yè)、通信、遠程教育、可視網絡1電話等領域。