PLD450型脈沖激光鍍膜介紹

以下是沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您一起分享的內(nèi)容，沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)脈沖激光沉積，歡迎新老客戶(hù)蒞臨。

技術(shù)指標(biāo)：

極限真空度：≤6.7×10 Pa　　

恢復(fù)真空時(shí)間：從1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min　　

系統(tǒng)漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；　　

真空室：Ф450球型真空室 ，　　

基片尺寸：可放置4″可實(shí)現(xiàn)公轉(zhuǎn)換靶位描等基片加熱可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5-60轉(zhuǎn)/分基片與蒸發(fā)源之間距離300-350mm可調(diào)。　　

二維掃描機(jī)械平臺(tái)，執(zhí)行兩自由度掃描,控制的內(nèi)容主要有公轉(zhuǎn)換靶、靶自轉(zhuǎn)、樣品自轉(zhuǎn)、樣品控溫、激光束掃,

質(zhì)量流量控制器1路　　

烘烤溫度：150℃數(shù)顯自動(dòng)熱偶控溫（高溫爐盤(pán)，數(shù)顯自動(dòng)熱偶控溫可加熱到800℃）

PLD 主要選件

離子輔助沉積 (IBAD)系統(tǒng)介紹

離子輔助沉積已經(jīng)成為在無(wú)規(guī)取向的基片或無(wú)定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)。Neocera 開(kāi)發(fā)了離子輔助的PLD 系統(tǒng)，該系統(tǒng)將PLD 在沉積復(fù)雜材料方面的優(yōu)勢(shì)與IBAD 能力結(jié)合在一起。

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脈沖激光沉積的原理

脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對(duì)靶材表面進(jìn)行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來(lái)，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。

脈沖激光沉積技術(shù)適合做的薄膜包括各種多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金屬薄膜，磁性材料等。

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