真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個重要方面，它是以真空技術(shù)為基礎(chǔ)，利用物理或化學(xué)方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術(shù)，為科學(xué)研究和實(shí)際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝。簡單地說，在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或?yàn)R射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法。

真空鍍膜的物理過程

PVD（物理氣相沉積技術(shù)）的基本原理可分為三個工藝步驟：

（1）鍍料的氣化：即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源

（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞，產(chǎn)生多種反應(yīng)。

（3）鍍料粒子在基片表面的沉積

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　真空鍍膜加工已有200年的歷史。在19世紀(jì)可以說一直是處于探索和預(yù)研階段。探索者的艱辛在此期間得到充分體現(xiàn)。1805年, 開始研究接觸角與表面能的關(guān)系(Young)。1817年, 透鏡上形成減反射膜(Fraunhofer)。1839年, 開始研究電弧蒸發(fā)(Hare)。開始研究真空濺射鍍膜(Grove；Pulker)。1857年, 在氮?dú)庵姓舭l(fā)金屬絲形成薄膜(Faraday；Conn)。 1874年, 報道制成等離子體聚合物(Dewilde；Thenard)。1877年,薄膜的真空濺射沉積研究成功(Wright)。1880年, 碳?xì)浠衔餁庀酂峤?Sawyer；Mann)。1887年, 薄膜的真空蒸發(fā)(坩堝) (Nahrwold；Pohl；Pringsheim)。開始研制形成減反射膜的化學(xué)工藝。研究成功四氯化鎢的氫還原法(CVD)； 膜厚的光學(xué)干涉測量法(Wiener)。

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由于真空鍍鋁薄膜上的鍍鋁層非常薄，因此不能用常規(guī)的測厚儀器檢測其厚度，常用的檢測方法如下：

①電阻法。電阻法是利用歐姆定律來對鍍鋁層的厚度進(jìn)行測量，根據(jù)歐姆定律： R=pXL/S 單位面積鍍鋁薄膜的電阻值越小，其鍍鋁層的厚度越厚，反之則越薄。

電阻法檢測鍍鋁層的厚度用表面電阻來表示，單位是Q，數(shù)值越大說明鍍鋁層厚度越薄，一般真空鍍鋁薄膜的表面電阻值為1.0～2.5Q。

鍍膜主要是為了減少反射。為了提高鏡頭的透光率和影像的質(zhì)量，在現(xiàn)代鏡頭制造工藝上都要對鏡頭進(jìn)行鍍膜。鏡頭的鍍膜是根據(jù)光學(xué)的干涉原理，在鏡頭表面鍍上一層厚度為四分之一波長的物質(zhì)(通常為氟化物)，使鏡頭對這一波長的色光的反射降至低。顯然，一層膜只對一種色光起作用，而多層鍍膜則可對多種色光起作用。真空鍍膜廠家 多層鍍膜通常采用不同的材料重復(fù)地在透鏡表面鍍上不同厚度的膜層。多層鍍膜可大大提高鏡頭的透光率，