化學氣相沉積工藝是這樣一種沉積工藝，被沉積物體和沉積元素（單元或多元）蒸發(fā)化合物置于反應室，當高溫氣流進入反應室時，可控制的反應室可使其發(fā)生一種合適的化學反應，導致被沉積物體的表面形成一種膜層，同時將反應產(chǎn)物及多余物從反應室蒸發(fā)排除。

鍍膜機工藝在防偽技能中的運用防偽膜品種許多，從運用辦法可分為反射式和透射式；從膜系附著辦法能夠分為直接鍍膜式、直接鍍膜式或直接鍍膜剪貼式。

氣相沉積主要分為兩大類：

化學氣相沉積(，簡稱CVD)；

物理氣相沉積(，簡稱PVD)。

，人們利用易揮發(fā)的液體TiCI稍加熱獲得TiCI氣體和NH氣體一起導入高溫反應室，讓這些反應氣體分解，再在高溫固體表面上進行遵循熱力學原理的化學反應，生成TiN和HCI，HCi被抽走，TiN沉積在固體表面上成硬質(zhì)固相薄膜。人們把這種通過含有構成薄膜元素的揮發(fā)性化合物與氣態(tài)物質(zhì)，在固體表面上進行化學反應，且生成非揮發(fā)性固態(tài)沉積物的過程，稱為化學氣相沉積(，CVD)。

人們把等離子體、離子束引入到傳統(tǒng)的物理氣相沉積技術的蒸發(fā)和濺射中，參與其鍍膜過程，同時通入反應氣體，也可以在固體表面進行化學反應，生成新的合成產(chǎn)物固體相薄膜，稱其為反應鍍。

在濺射鈦(Ti)等離子體中通入反應氣體N2后合成TiN就是一例。

這就是說物理氣相沉積也可以包含有化學反應。又如，在反應室內(nèi)通入，借助于w靶陰極電弧放電，在Ar，W等離子體作用下使分解，并在固體表面實現(xiàn)碳鍵重組，生成摻W的類金剛石碳減摩膜，人們習慣上把這種沉積過程仍歸入化學氣相沉積，但這是在典型的物理氣相沉積技術——金屬陰極電弧離子鍍中實現(xiàn)的。