磁控方箱生產線介紹

用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備?！　?

主要由真空室系統濺射室、靶及電源系統、樣品臺系統、真空抽氣及測量系統、氣路系統、電控系統、計算機控制系統及輔助系統等組成?！?

技術指標：　　極限真空度6.7×10-5Pa，系統漏率：1×10-7PaL/S；　　恢復真空時間：40分鐘可達6.6×10 Pa（短時間暴露　　大氣并充干燥氮氣后開始抽氣）　　

鍍膜方式：磁控靶為直靶，向下濺射成膜；　　樣品基片: 負偏壓 -200V　　

樣品轉盤：在基片傳輸線上連續(xù)可調可控，在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉盤由伺服電機驅動，計算機控制其水平傳遞；　　

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統，計算機控制系統的功能：對位移和樣品公轉速度隨時間的變化做實時采集，對位移誤差進行計算，以曲線和數值顯示。樣品公轉速度對位移曲線可在線性和對數標度兩種顯示之間切換，可實現換位鍍膜。

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光纖磁控濺射鍍膜機組成

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設備用途：

在光纖表面鍍制納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。配有陽極層離子源進行清洗和輔助沉積，同時設備具有反濺射清洗功能，以提高膜的質量和牢固度。樣品臺可鍍制多種型號光纖產品

系統主要由真空室、磁控靶、單基片加熱臺、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。

雙靶磁控濺射鍍膜機的特點有哪些？

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產品特點

1：此款鍍膜儀配置有兩個靶槍：一個靶槍配套的是射頻電源，用于非導電靶材的濺射鍍膜；一個靶槍配套的是直流電源，用于導電材料的濺射鍍膜

2：該鍍膜儀可以制備多種不同材料的薄膜，應用非常廣泛。

3：該鍍膜儀體積較小，且配備有觸摸屏控制面板，操作方便。