第二組噴嘴各自的噴淋面與前一組相對應(yīng)的皆略有不同（它 表示了噴淋的工作情況）, 使噴射出的溶液形狀成為迭加或交叉的狀態(tài)。 理論上﹐如果溶 液形狀相互交叉, 該部分的噴射力就會降低而不能有效地將蝕刻表面上的舊溶液沖掉使新 溶液與其接觸。 在噴淋面的邊緣處, 這種情況尤為突出, 其噴射力比垂直噴射要小得多。二電解蝕刻機電蝕刻是利用金屬在以自來水或鹽水為蝕刻主體的液體中發(fā)生陽極溶解的原理，(電解的作用下)將金屬進行蝕刻，接通蝕刻電源，從而達到蝕刻的目的。 這項研究發(fā)現(xiàn)﹐新的設(shè)計參數(shù)是 65 磅/平方英寸（即 4 Bar）。 每個蝕刻過程和每種實 用的溶液都有一個很好的噴射壓力的問題﹐就目前而言﹐蝕刻艙內(nèi)噴射壓力在 30 磅/平方 英寸（2Bar）以上的情況微乎其微。 但有一個原則﹐一種蝕刻溶液的密度（即比重或玻美 度）越高﹐很好的噴射壓力也應(yīng)越高。

蝕刻設(shè)備的維護

維護蝕刻設(shè)備的關(guān)鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無阻塞物, 使噴嘴能暢順地 噴射。 阻塞物或結(jié)渣會使噴射時產(chǎn)生壓力作用, 沖擊板面。 而噴嘴不清潔﹐則會造成蝕刻 不均勻而使整塊電路板報廢。2：鋁牌填漆，我上了漆以后用煤油清理周邊的多余漆，整版顏色都不白了啊。明顯地﹐設(shè)備的維護就是更換破損件和磨損件﹐因噴嘴同樣存在著磨損的問題, 所以 更換時應(yīng)包括噴嘴。 此外﹐更為關(guān)鍵的問題是要保持蝕刻機沒有結(jié)渣﹐因很多時結(jié)渣堆積 過多會對蝕刻液的化學(xué)平衡產(chǎn)生影響。

因 為突沿容易撕裂下來﹐在導(dǎo)線的兩點之間形成電的拆接。 影響側(cè)蝕的因素有很多﹐下面將概述幾點﹕ 蝕刻方式﹕ 浸泡和鼓泡式蝕刻會造成較大的側(cè)蝕﹐潑濺和噴淋式蝕刻的側(cè)蝕較小﹐尤以噴淋蝕 刻的效果很好。 蝕刻液的種類﹕ 不同的蝕刻液, 其化學(xué)組分不相同﹐蝕刻速率就不一樣﹐蝕刻系數(shù)也不一樣。蝕刻法與傳統(tǒng)的機械沖制方法相比，具有生產(chǎn)周期短（一般3天可以制造出產(chǎn)品），修改尺寸方便快捷的優(yōu)點。 例如﹕酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為 3﹐而堿性氯化銅蝕刻系數(shù)可達到 4。 蝕刻速率﹕ 蝕刻速率慢會造成嚴重側(cè)蝕。 提高蝕刻質(zhì)量與加快蝕刻速率有很大的關(guān)系, 蝕刻速 度越快, 基板在蝕刻中停留的時間越短﹐側(cè)蝕量將越小﹐蝕刻出的圖形會更清晰整 齊。

化學(xué)蝕刻（Chemical etching）-- 氣態(tài)物質(zhì)（中性原子團）與表面反應(yīng)， 產(chǎn)物必定易揮發(fā)，也稱為等離子蝕刻。 等離子增強蝕刻(Ion-enhanced etching)—單獨使用中性原子團不能形成易揮發(fā)產(chǎn)物，具有一定 能量的離子改變襯底或產(chǎn)物；具有一定能量的離子改變襯底或產(chǎn)物層，這樣，化學(xué)反應(yīng)以后 能生成揮發(fā)性物質(zhì)，亦稱為反應(yīng)離子蝕刻（RIE） 。 濺射蝕刻（Sputter etching）--具有一定能量的離子機械的濺射襯底材料。 蝕刻速率（Etch rate）--材料的剝離速率，通常以?/min，?/sec，nm/min, um/min 為單位計 量。在技術(shù)分為機械、化學(xué)和電化學(xué)方法等[1～4]，其中化學(xué)蝕刻具有工藝簡單、操作方便、精度高和生產(chǎn)成本低等優(yōu)點，適合于批量生產(chǎn)，蝕刻深度為20～200μm。 各向同性蝕刻（ Isotropic etch）-- 蝕刻速率在所有方向都是相同的。