同方迪一分享高壓陶瓷電容和高壓瓷片電容的特點對比

堅信大伙兒是不是非常容易搞混高壓陶瓷電容和高壓高壓瓷片電容2個的定義，文中便是要為大伙兒理清這二種電子器件的差別，特性及其應用留意等。

高壓陶瓷電容的特性：

1.不用驗證

2.超高壓能夠 做到7KV在越高越少見了，

3.打印出方法和Y電容比無需把各國驗證打在商品表層，

4.電壓*少能夠 到16V

5.抗壓*大2.5倍一般生產(chǎn)制造是1.5倍的規(guī)范測

A型原材料的溝通交流穿透電壓特性外邊用環(huán)氧樹脂膠壓模包裹的陶瓷電容器的穿透電壓廠。與空隙長G(圓片半經(jīng)與電級半經(jīng)之差)的關聯(lián)。電力電容器的直徑為20mm,原材料相對介電常數(shù)為1460‘下稱A材),電級為銀電級。實驗標準為25℃,釋放50Hz交流電壓,電壓上升幅度為ZkV/s。

高壓瓷片電容特性：

1.常見于高壓場所

2.陶瓷有I類瓷，II類瓷，III類瓷之分，

3.I類瓷，NP0，溫度特性，頻率特性和電壓特性佳，因相對介電常數(shù)不高，因此容積做并不大

4.II類瓷，X7R其次，溫度特性和電壓特性不錯

5.III類瓷，相對介電常數(shù)高，因此 容積能夠做非常大，但溫度特性和電壓特性不大好。

6.瓷片電容器一般體積不大

此外，再注重一個關鍵特性：瓷介電力電容器穿透后，通常呈短路故障情況。（它是它的缺點）而薄膜電容器無效后，一般呈引路情況。

高壓瓷片電容和高壓陶瓷電容功能基本上是一樣的，一些細節(jié)會有些不同。所以在使用的時候也要注意到性能方面。

同方迪一分享瓷介電容的容量標識的幾種方法

一、直接標識：如其電解電容，容量47uf，電容耐壓25v。

二、使用單位nf：如上圖的滌綸電容，標稱4n7，即4.7nf，轉換為pf即為4700pf。還有的例如：10n，即0.01uf;33n，即0.033uf。后面的63是指電容耐壓63v。

三、數(shù)學計數(shù)法：如瓷介電容，標值104，容量就是：10x10000pf=0.1uf.如果標值473，即為47X1000pf=0.047uf。（后面的4、3，都表示10的多少次方）。又如：332=33X100pf=3300pf。電容的使用，都應該在規(guī)定的耐壓下工作?，F(xiàn)在的好多質量不高的產(chǎn)品，就因為使用了耐壓不足的電容而引起故障（常見電容爆裂）。

同方迪一解析大瓷片電容并聯(lián)小瓷片電容的原因

瓷片電容是一種用陶瓷材料作介質，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫燒結后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。

市面上的電容器通常使用多層卷繞的方式制作，而容量越大的電容器體積一般也比較大，這導致了大容量電容器的分布電感比較大。在物理學中電感對高頻信號的阻抗是很大的，所以大瓷片電容的高頻性能往往不好。而一些小瓷片容量的電容器則剛剛相反，因為容量小體積可以也可以做得很小，這樣它具有了很好的高頻性能。

如果我們?yōu)榱俗尩皖l、高頻信號都可以很好的通過，我們常常在一個大瓷片電容再并上一個小瓷片電容的方式。例如使用的小電容為 0.1uF的瓷片電容器，當頻率更高時，還可并聯(lián)更小的電容器，如幾pF，幾百pF的。而在數(shù)字電路中，一般要給每個芯片的電源引腳上并聯(lián)一個0.1uF的 電容器到地，因為在這些地方的信號主要是高頻信號，使用較小的電容器濾波可以了。