封裝測試設(shè)備的芯片載體封裝

　　80年代出現(xiàn)了芯片載體封裝，其中有陶瓷無引線芯片載體LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引線芯片載體PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封裝SOP(Small Outline Package)、塑料四邊引出扁平封裝PQFP(Plastic Quad Flat Package)， 以0.5mm焊區(qū)中心距，208根I/O引腳的QFP封裝的CPU為例，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，則芯片面積/封裝=10×10/28×28=1：7.8，由此可見QFP比DIP的封裝尺寸大大減小。QFP的特點(diǎn)是: 1.適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線; 2.封裝外形尺寸小，寄生參數(shù)減小，適合高頻應(yīng)用; 3.操作方便; 4.可靠性高。

晶圓級封裝的設(shè)計(jì)意圖

晶圓級封裝的設(shè)計(jì)意圖是通過降低芯片制造成本，用來實(shí)現(xiàn)引腳數(shù)量少且性能出色的芯片。晶圓級封裝方案都是直接將裸片直接焊接在主板上。徠森較為關(guān)心的是這種新封裝技術(shù)的特異性，以及常見的熱機(jī)械失效等相關(guān)問題，并提出相應(yīng)的控制方案和改進(jìn)方法。晶圓級封裝技術(shù)雖然有優(yōu)勢，但是存在特殊的熱機(jī)械失效問題。

扇入和扇出型封裝流程

這里需要說明的是，為提高晶圓級封裝的可靠性，目前存在多種焊球裝配工藝，其中包括氮化物層上焊球、聚合物層上焊球、銅柱晶圓級封裝等等。重點(diǎn)是RDL層/聚合物層上用UBM層裝配焊球的方法。扇入型標(biāo)準(zhǔn)封裝裸片是直接暴露于空氣中(裸片周圍無模壓復(fù)合物)，人們擔(dān)心這種封裝非常容易受到外部風(fēng)險(xiǎn)的影響。優(yōu)化晶片切割工藝是降低失效風(fēng)險(xiǎn)的首要措施。