作用編輯①把拋光液有效均勻地輸送到拋光墊的不同區(qū)域；②將拋光后便化學(xué)反應(yīng)充分進(jìn)行;的反應(yīng)物、碎屑等順利排出，達(dá)到去除效果；③維持拋光墊表面的拋光液薄膜, 以便化學(xué)反應(yīng)充分進(jìn)行；④保持拋光過程的平穩(wěn)、表面不變形, 以便獲得較好的晶片表面形貌；①硬度-拋光墊的硬度決定保持面形精度的能力；②壓縮比-壓縮比反應(yīng)拋光墊的抗變形能力；③涵養(yǎng)量-拋光墊的涵養(yǎng)量是單位體積的拋光墊存儲拋光液的質(zhì)量；④粗糙度-表面粗糙度是拋光墊表面的凸凹不平程度,；⑤密度-密度是拋光墊材料的致密程度；



聚胺脂拋光片修復(fù)使用  當(dāng)聚胺脂拋光片在模具上粘附好后，應(yīng)先進(jìn)行修盤。通常用w40的金剛石丸片對拋光模表面（球面或平面）進(jìn)行校正和是十分必要的。在聚胺脂拋光摸使用的過程中，可根據(jù)需要采用刷子對聚胺脂表面進(jìn)行打毛，將有助于提高拋光速率。

影響因素

①硬度-拋光墊的硬度決定保持面形精度的能力；

②壓縮比-壓縮比反應(yīng)拋光墊的抗變形能力；

③涵養(yǎng)量-拋光墊的涵養(yǎng)量是單位體積的拋光墊存儲拋光液的質(zhì)量；

④粗糙度-表面粗糙度是拋光墊表面的凸凹不平程度,；

⑤密度-密度是拋光墊材料的致密程度；拋光皮

 拋光墊是化學(xué)機械拋光(CMP)系統(tǒng)的重要組成部分。它具有貯存拋光液,并把它均勻運送到工件的整個加區(qū)域等作用。

     拋光墊的性能主要由拋光墊的材料種類、材料性能、表面結(jié)構(gòu)與狀態(tài)以及修整參數(shù)等決定。拋光墊的剪切模量或增大拋光墊的可壓縮性,CMP過程材料去除率增大;采用表面合理開槽的拋光墊,可提高材料去除率,降低晶片表面的不均勻性;拋光墊粗糙的表面有利于提高材料去除率。對拋光墊進(jìn)行適當(dāng)?shù)男拚梢栽黾訏伖鈮|表面粗糙度、使材料去除率趨于一致。與離線修整相比較,在線修整時修整效果比較好。