光刻膠工藝

普通的光刻膠在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能，F(xiàn)uturrex 的光刻膠正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術(shù)。發(fā)展Futurrex在開發(fā)產(chǎn)品方面已經(jīng)有很長的歷史我們的客戶一直在同我們共同合作，創(chuàng)造出了很多強勢的專利產(chǎn)品。該技術(shù)的引入，可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復(fù)雜性和光刻成本的增加。

光刻膠國內(nèi)研發(fā)現(xiàn)狀

“造成與國際水平差距的原因很多。過去由于我國在開始規(guī)劃發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上，布局不合理、不完整，特別是生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的投資，而忽視了重要的基礎(chǔ)材料、裝備與應(yīng)用研究。這層堅硬的外殼可以采取兩種現(xiàn)有方法去除:方法一，采用濕法刻蝕，但這種工藝容易產(chǎn)生光刻膠殘留。目前，整個產(chǎn)業(yè)是中間加工環(huán)節(jié)強，前后兩端弱，核心技術(shù)至今被TOK、JSR、住友化學(xué)、信越化學(xué)等日本企業(yè)所壟斷。

光刻膠的主要技術(shù)指標(biāo)有解析度、顯影時間、異物數(shù)量、附著力、阻抗等。每一項技術(shù)指標(biāo)都很重要，必須全部指標(biāo)達到才能使用。因此，國外企業(yè)在配方、生產(chǎn)工藝技術(shù)等方面，對中國長期保密。中國的研發(fā)技術(shù)有待進一步發(fā)展

NR77-20000P

正膠PR1-2000A1技術(shù)資料

正膠PR1-2000A1是為曝光波長為365 或者436納米，可用于晶圓步進器、掃描投影對準(zhǔn)器、近程打印機和接觸式打印機等工具。PR1-2000A1可以滿足對附著能力較高的要求，在使用PR1-2000A1時一般不需要增粘劑，如HMDS。

相對于其他的光刻膠，PR1-2000A1有如下的一些額外的優(yōu)勢：

PEB，不需要后烘的步驟；

較高的分別率；

快速顯影；

較強的線寬控制；

蝕刻后去膠效果好；

在室溫下有效期長達2年。

發(fā)展

Futurrex在開發(fā)產(chǎn)品方面已經(jīng)有很長的歷史

我們的客戶一直在同我們共同合作，創(chuàng)造出了很多強勢的專利產(chǎn)品。

在晶體管(transistor) ，封裝，微機電。顯示器，OLEDs，波導(dǎo)(waveguides) ，VCSELS，

成像，電鍍，納米碳管，微流體，芯片倒裝等方面。我們都已經(jīng)取得一系列的技術(shù)突破。

目前Futurrex有數(shù)百個專利技術(shù)在美國專利商標(biāo)局備案。

Futurrex 產(chǎn)品目錄

正性光刻膠

增強粘附性正性光刻膠

負性光刻膠

增強粘附性負性光刻膠

先進工藝負性光刻膠

用于lift-off工藝的負性光刻膠

非光刻涂層

平坦化，保護、粘接涂層

氧化硅旋涂(spin-on glas)

摻雜層旋涂

輔助化學(xué)品

邊膠清洗液

顯影液

去膠液

Futurrex所有光刻產(chǎn)品均無需加增粘劑(HMDS)