可控硅作為變頻器之內(nèi)不可缺少的主要配件之一已經(jīng)廣為人知，那么可控硅擊穿的主要原因有哪些？

1、過(guò)壓擊穿：

過(guò)壓擊穿是 可控硅 擊穿的主要原因之一，可控硅對(duì)過(guò)壓的承受能力幾乎是沒(méi)有時(shí)間的，即使在幾毫秒的短時(shí)間內(nèi)過(guò)壓也會(huì)被擊穿的，因此實(shí)際應(yīng)用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無(wú)規(guī)則的干擾脈沖所引起的瞬間過(guò)壓。如果經(jīng)常發(fā)生 可控硅 擊穿，請(qǐng)檢查一下吸收回路的各元件是否有燒壞或失效的。聯(lián)網(wǎng)、通訊，正適應(yīng)了當(dāng)今計(jì)算機(jī)集成制造系統(tǒng)(CIMS)及智能化工廠發(fā)展的需要。

2、過(guò)流與過(guò)熱擊穿：

其實(shí)過(guò)流擊穿與過(guò)熱擊穿是一回事。過(guò)流擊穿就是電流在通過(guò) 可控硅 芯片時(shí)在芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱效應(yīng)，使芯片溫度升高，當(dāng)芯片溫度達(dá)到175℃時(shí)芯片就會(huì)失效且不能恢復(fù)。在正常的使用條件下，只要工作電流不超過(guò)可控硅額定電流是不會(huì)發(fā)生這種熱擊穿的，因?yàn)檫^(guò)流擊穿原理是由于溫度升高所引起的，而溫度升高的過(guò)程是需要一定時(shí)間的，所以在短時(shí)間內(nèi)過(guò)流(幾百毫秒到幾秒時(shí)間)一般是不會(huì)擊穿的。其實(shí)，完全可利用它進(jìn)行PLC自身工作的監(jiān)控，或?qū)刂茖?duì)象進(jìn)行監(jiān)控。

3、過(guò)熱擊穿：

這里所說(shuō)的過(guò)熱擊穿是指在工作電流并不超過(guò) 可控硅 額定電流的情況下而發(fā)生的熱擊穿，發(fā)生這種擊穿的原因主要是可控硅的輔助散熱裝置工作不良而引起可控硅芯片溫度過(guò)高導(dǎo)致?lián)舸?duì)于采用水冷方式工作的，主要檢查進(jìn)水溫度是否過(guò)高(一般要求水溫應(yīng)在25℃以下，但不能超過(guò)35℃)，流量是否充足;對(duì)于采用風(fēng)冷方式工作的，應(yīng)檢查風(fēng)扇的轉(zhuǎn)數(shù)是否正常，還有環(huán)境溫度也不能太高等，但無(wú)論是風(fēng)冷的還是水冷的，如果你在更換可控硅時(shí)只是更換了芯片的話，安裝時(shí)要注意芯片與散熱器之間的接觸面一定要保證良好的接觸，接觸面要平整，不能有劃痕或凹凸且不能有灰塵夾入，還要保證有足夠且均勻的壓力，特別是對(duì)水冷的可控硅，三個(gè)螺栓的拉力一定要均勻，并且還要經(jīng)常檢查和清理水垢，水垢太多也會(huì)影響散熱效果導(dǎo)致過(guò)熱擊穿的。繼電器模組把電氣控制柜中的單個(gè)小功率繼電器加以集成化、系列化，減少了中間接線環(huán)節(jié)，提高了產(chǎn)品的性能。

繼電器觸點(diǎn)的類(lèi)型以及功率

1、繼電器的觸點(diǎn)額定負(fù)載能力應(yīng)大于所控制電路的負(fù)載；

這是因?yàn)殡姶爬^電器的額定負(fù)載屬于純電阻性負(fù)載，因此在選用時(shí)首先應(yīng)該考慮被控制電路的特性而給予以不同的處理。

例如，負(fù)載為小功率的交流電動(dòng)機(jī)時(shí)，繼電器的觸點(diǎn)負(fù)載應(yīng)該高于所控制負(fù)載的20%以上來(lái)選??；又如負(fù)載為白熾燈時(shí)的純電阻負(fù)載時(shí)，觸點(diǎn)容量應(yīng)該高于所控制負(fù)載的15%選?。徊皇琴u(mài)歐姆龍的就代理店，歐龍代理會(huì)統(tǒng)一發(fā)有編號(hào)的委任狀，半年復(fù)檢一次。再如負(fù)載純電感性或者純電容性負(fù)載電路時(shí)，繼電器觸點(diǎn)負(fù)載應(yīng)該高于被控制負(fù)載電路的30%來(lái)選取。

2、繼電器觸點(diǎn)的類(lèi)型；

繼電器的觸點(diǎn)類(lèi)型包括單組觸點(diǎn)、雙組觸點(diǎn)、多組觸點(diǎn)、常開(kāi)式觸點(diǎn)、常閉式觸點(diǎn)等等，在選用時(shí)，應(yīng)該根據(jù)負(fù)載電路的需要來(lái)選擇，而不可盲目地一味追求選擇多組觸點(diǎn)型的繼電器。